臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
南台科技大學	2003	GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi
南台科技大學	2003	Visible–blind GaN p–i–n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure	李明倫; L. S. Yeh; M. L. Lee; J. K. Sheu; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su
南台科技大學	2003	Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer	李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai
南台科技大學	2003	Reduction of Dark Current in AlGaN/GaN Schottky Barrier Photodetectors With a Low-Temperature-Grown GaN Cap Layer	李明倫; G. C. Chi; J.K. Sheu; M. L. Lee; C.J. Kao; Y.K. Su; S.J. Chang; W.C. Lai
南台科技大學	2003	GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. C. Chen; C. J. Tun; W. C. Lai; Y. K. Su; S.J. Chang; G. C. Chi
國立東華大學	2003	Silicon-based transmissive diffractive optical element	王智明; Wang, Chih-Ming; C. C. Lee;Y. C. Chang;C. M. Wang;J. Y. Chang;G. C. Chi
國立成功大學	2003	Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer	Lee, M. L.; �Sheu, �Jinn-Kong; Lai, W. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Chen, M. G.; Kao, C. J.; Tsai, J. M.; G.C.Chi
南台科技大學	2002	Planar GaN n+-p photodetectors formed by Si implants into p-GaN	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; L. S. Yeh; C. J. Kao; C. J. Tun; M. J. Chen; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; C. T. Lee
南台科技大學	2002	Characterization of Si implants in p-type GaN	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; C. J. Kao; L. S. Yeh; C. C. Lee; G. C. Chi
南台科技大學	2002	GaN p–n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; L. S. Yeh; M. S. Tsai; C. J. Kao; C. J. Tun; S. J. Chang; G. C. Chi

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