| 南台科技大學 |
2006 |
Planar GaN p-i-n photodiodes with n+-conductive channel formed by Si implantation
|
李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Kao; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2006 |
Effects of Thermal Annealing on Al-Doped ZnO Films Deposited on p-Type Gallium Nitride
|
李明倫; C. J. Tun; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. C. Hu; C. K. Hsieh; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2006 |
Improved Performance of Planar GaN-based p-i-n Photodetectors with Mg-implanted Isolation Ring
|
李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2005 |
Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metal-organic vapor-phase
|
李明倫; J. K. Sheu; S. S. Chen; M. L. Lee; W. C. Lai; W. H. Chang; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2005 |
Comparison of low-temperature GaN, SiO2, and SiNx as gate insulators on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors
|
李明倫; C. J. Kao; M. C. Chen; C.J. Tun; G. C. Chi; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; F.Ren; S.J.Pearton |
| 南台科技大學 |
2005 |
Rectifying characteristics of WSi0.8--GaN Schottky barrier diodes with a GaN cap layer grown at low temperature
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; H. C. Tseng; W. C. Lai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2005 |
Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metal-organic vapor-phase
|
李明倫; J. K. Sheu; S. S. Chen; M. L. Lee; W. C. Lai; W. H. Chang; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2004-10 |
Planar GaN-based UV Photodetectors formed by Si Implantation
|
李明倫; M. C. Chen; J.K. Sheu; M. L. Lee; G.C. Chi; C.J. Gao; C.J. Tun |
| 南台科技大學 |
2004 |
Reduction of dark current in AlGaN/GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2004 |
Effect of GaN cap layer grown at a low temperature on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/GaN heterojunction field-effect transistors
|
李明倫; C. J. Kao; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; M. C. Chen; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2004 |
Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer
|
李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2004 |
Characterization of GaN Schottky barrier photodiodes with a low-temperature growth GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2003 |
Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2003 |
Deep level defect in Si-implanted GaN n+-p junction
|
李明倫; J. K. Sheu;M. L. Lee; G. C. Chi;S. J. Chang |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors With Low-Temperature-GaN Cap Layers and ITO Metal Contacts
|
李明倫; S. J. Chang; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. K. Su; C. S. Chang; C. J. Kao; G. C. Chi; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2003 |
Visible–blind GaN p–i–n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure
|
李明倫; L. S. Yeh; M. L. Lee; J. K. Sheu; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su |
| 南台科技大學 |
2003 |
Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer
|
李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai |
| 南台科技大學 |
2003 |
Reduction of Dark Current in AlGaN/GaN Schottky Barrier Photodetectors With a Low-Temperature-Grown GaN Cap Layer
|
李明倫; G. C. Chi; J.K. Sheu; M. L. Lee; C.J. Kao; Y.K. Su; S.J. Chang; W.C. Lai |
| 南台科技大學 |
2003 |
GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. C. Chen; C. J. Tun; W. C. Lai; Y. K. Su; S.J. Chang; G. C. Chi |
| 國立東華大學 |
2003 |
Silicon-based transmissive diffractive optical element
|
王智明; Wang, Chih-Ming; C. C. Lee;Y. C. Chang;C. M. Wang;J. Y. Chang;G. C. Chi |
| 國立成功大學 |
2003 |
Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer
|
Lee, M. L.; �Sheu, �Jinn-Kong; Lai, W. C.; Chang, S. J.; Su, Y. K.; Chen, M. G.; Kao, C. J.; Tsai, J. M.; G.C.Chi |
| 南台科技大學 |
2002 |
Planar GaN n+-p photodetectors formed by Si implants into p-GaN
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; L. S. Yeh; C. J. Kao; C. J. Tun; M. J. Chen; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; C. T. Lee |
| 南台科技大學 |
2002 |
Characterization of Si implants in p-type GaN
|
李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; C. J. Kao; L. S. Yeh; C. C. Lee; G. C. Chi |
| 南台科技大學 |
2002 |
GaN p–n junction diode formed by Si ion implantation into p-GaN
|
李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; L. S. Yeh; M. S. Tsai; C. J. Kao; C. J. Tun; S. J. Chang; G. C. Chi |
