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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-02T06:00:52Z Rational function approximation of nuclear scattering cross-section function Wang, SS; Guo, SF
國立交通大學 2019-04-02T05:59:28Z New techniques for simulation of ion implantation by numerical integration of Boltzmann transport equation Wang, SW; Guo, SF
國立交通大學 2014-12-08T15:48:56Z Parallel simulation of ion implantation for multi-component targets using Boltzmann transport equation Wang, SW; Guo, SF
國立交通大學 2014-12-08T15:06:30Z REDISTRIBUTION OF DEPOSITED BORON IN SILICON DURING DRY O2 AND TCE O2 OXIDATIONS GUO, SF; CHU, TY
國立交通大學 2014-12-08T15:06:29Z A SIMPLE-MODEL FOR THE DEPOSITION OF BORON IN SILICON BY USING A BN DIFFUSION SOURCE GUO, SF
國立交通大學 2014-12-08T15:06:25Z A MODEL FOR THE DEPOSITION OF PHOSPHORUS IN SILICON GUO, SF
國立交通大學 2014-12-08T15:06:23Z NUMERICAL-ANALYSIS OF SILICON SCHOTTKY-BARRIER CONTACTS GUO, SF
國立交通大學 2014-12-08T15:06:23Z A MODEL FOR BORON DEPOSITION IN SILICON USING A BBR3 SOURCE GUO, SF; CHEN, WS
國立交通大學 2014-12-08T15:06:17Z A SIMPLE-MODEL FOR COMPUTER-SIMULATION OF SCHOTTKY-BARRIER DIODES GUO, SF
國立交通大學 2014-12-08T15:05:36Z SIMPLIFICATION OF THE ICCG METHOD FOR MATRIX-INVERSION IN SEMICONDUCTOR-DEVICE SIMULATION GUO, SF

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