English  |  正體中文  |  简体中文  |  总笔数 :0  
造访人次 :  50687467    在线人数 :  273
教育部委托研究计画      计画执行:国立台湾大学图书馆
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
关于TAIR

浏览

消息

著作权

相关连结

"h h tung"的相关文件

回到依作者浏览
依题名排序 依日期排序

显示项目 1-12 / 12 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目

机构 日期 题名 作者
國立中山大學 1989 Material Properties of InP-on-Si Grown by Low-Pressure Organometallic Vapor Phase Epitaxy D.S. Wuu; H.H. Tung; R.H. Horng; M.K. Lee
國立中山大學 1988 Growth and Characterization of InP Epilayers on ZnSe-coated Si Substrates by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Tung; J.H. Chang; Y.F. Lin
國立中山大學 1988 Heteroepitaxial Growth of Indium Phosphide on Silicon by MOCVD Using Adduct Source M.K. Lee; D.S. We; H.H. Tung
國立中山大學 1988 Characterization of InP/GaAs Epilayers Grown on Si Substrates by Low-Pressure Organometallic Chemical Vapor Phase Epitaxy M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Tung; K.Y. Yu; K.C. Huang
國立中山大學 1988 MOCVD Growth of InP on Si by Using a GaAs Buffer Layer M.K. Lee;D.S. Wuu;H.H. Tung;K.Y. Yu;K.C. Huang
國立中山大學 1988 Organometallic growth and Material Properties of InP-on-Si M.K. Lee;D.S. Wuu;H.H. Tung;R.H. Horng;K.C. Huang
國立中山大學 1987 Low Pressure Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of InP Using a Trimethylindium- Trimethylphosphine Adduct Source M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Tung
國立中山大學 1987 Heteroepitaxial Growth of InP on GaAs by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Tung
國立中山大學 1987 Epitaxial Growth of Indium Phosphide on GaAs by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Tung
國立中山大學 1987 Heteroepitaxial Growth of InP Directly on Si by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Depositions M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Tung
國立中山大學 1987 Vapor Phase Epitaxy of Indium Phosphide Using Metalorganic Adduct Compound M.K. Lee;D.S. Wu;H.H. Tung
國立中山大學 1987 InP Epitaxial Growth by Low Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition Using Adduct Source M.K. Lee;D.S. Wu;H.H. Tung

显示项目 1-12 / 12 (共1页)
1 
每页显示[10|25|50]项目