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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2004-11	Molecular-beam-epitaxy growth of high-quality InGaAsN/GaAs quantum well lasers emitting at 1.3 mu m	Wang, J. S.; Hsiao, R. S.; Lin, G.; Lin, K. F.; Liu, H. Y.; Lai, C. M.; Wei, L.; Liang, C. Y.; Chi, Jim-Yong; Kovsh, A. R.; Maleev, N. A.; Livshits, D. A.; Chen, Jone-Fang; Yu, H. C.; Ustinov, V. M.

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