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國立交通大學	2014-12-08T15:20:29Z	New Observations on the Physical Mechanism of Vth-Variation in Nanoscale CMOS Devices After Long Term Stress	Hsieh, E. R.; Chung, Steve S.; Tsai, C. H.; Huang, R. M.; Tsai, C. T.; Liang, C. W.
國立交通大學	2014-12-08T15:07:17Z	The proximity of the strain induced effect to improve the electron mobility in a silicon-carbon source-drain structure of n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors	Hsieh, E. R.; Chung, Steve S.

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