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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:08:59Z Adaptation to the edge of chaos in a self-starting Kerr-lens mode-locked laser Hsu, C. C.; Lin, J. H.; Hsieh, W. F.
國立交通大學 2014-12-08T15:08:10Z Structural Characteristics and Annealing Effect of ZnO Epitaxial Films Grown by Atomic Layer Deposition Yang, S.; Lin, B. H.; Liu, W. -R.; Lin, J. -H.; Chang, C. -S.; Hsu, C. -H.; Hsieh, W. F.
國立交通大學 2014-12-08T15:07:50Z Effect of Threading Dislocations on Local Contacts in Epitaxial ZnO Films Lin, C. Y.; Liu, W. -R.; Chang, C. S.; Hsu, C. -H.; Hsieh, W. F.; Chien, F. S. -S.
國立成功大學 2014-07-07 Recombination dynamics of a localized exciton bound at basal stacking faults within the m-(p)lane ZnO film Yang, S.; Hsu, H. C.; Liu, W-R.; Lin, B. H.; Kuo, C. C.; Hsu, C-H.; Eriksson, M. O.; Holtz, P. O.; Hsieh, W. F.
淡江大學 2013-03-01 Effect of geometry on the magnetic properties of CoFe2O4–PbTiO3 multiferroic composites Wang, B. Y.; Wang, H. T.; Singh, Shashi B.; Shao, Y. C.; Wang, Y. F.; Chuang, C. H.; Yeh, P.H.; Chiou, J. W.; Pao, C. W.; Tsai, H. M.; Lin, H. J.; Lee, J. F.; Tsai, C. Y.; Hsieh, W.F.; Tsai, M.-H.; Pong, W. F.
東海大學 2013 12 GHz passive harmonic mode-locking in a 1.06 μm semiconductor optical amplifier-based fiber laser with figure-eight cavity configuration Chen, H.-R.; Lin, K.-H.; Tsai, C.-Y.; Wu, H.-H.; Wu, C.-H.; Chen, C.-H.; Chi, Y.-C.; Lin, G.-R.; Hsieh, W.-F.
國立成功大學 2012-10 Improvement of Crystalline and Photoluminescence of Atomic Layer Deposited m-Plane ZnO Epitaxial Films by Annealing Treatment Yang, S.; Lin, B. H.; Kuo, C. C.; Hsu, H. C.; Liu, W-R; Eriksson, M. O.; Holtz, P-O; Chang, C-S; Hsu, C-H; Hsieh, W. F.
國立成功大學 2012-03-05 Photoluminescence associated with basal stacking faults in c-plane ZnO epitaxial film grown by atomic layer deposition Yang, S.; Kuo, C. C.; Liu, W. -R.; Lin, B. H.; Hsu, H. -C.; Hsu, C. -H.; Hsieh, W. F.
國立成功大學 2012-02 Spectral dependence of transient reflectance in a ZnO epitaxial film at room temperature Ou, P-C; Lin, J-H; Hsieh, W-F
國立成功大學 2012 The influence of dislocations on optical and electrical properties of epitaxial ZnO on Si (111) using a gamma-Al2O3 buffer layer Liu, W. -R.; Lin, B. H.; Yang, S.; Kuo, C. C.; Li, Y. -H.; Hsu, C. -H.; Hsieh, W. F.; Lee, W. C.; Hong, M.; Kwo, J.

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