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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:27:35Z A numerical model for simulating MOSFET gate current degradation by considering the interface state generation Yih, CM; Chung, SS; Hsu, CCH
國立交通大學 2014-12-08T15:26:51Z Investigation of the gate dielectric oxidation treatment in trench gate power devices Lin, MJ; Liaw, CE; Chang, JJ; Chang, FL; Hsu, CCH; Cheng, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:26:18Z A novel leakage current separation technique in a direct Tunneling regime gate oxide SONOS memory cell Chung, SS; Chiang, PY; Chou, G; Huang, CT; Chen, P; Chu, CH; Hsu, CCH
國立交通大學 2014-12-08T15:04:13Z DIRECT OBSERVATION OF CHANNEL-DOPING-DEPENDENT REVERSE SHORT-CHANNEL EFFECT USING DECOUPLED C-V TECHNIQUE GUO, JC; HSU, CCH; CHUNG, SSS
國立交通大學 2014-12-08T15:03:44Z ANOMALOUS REVERSE SHORT-CHANNEL EFFECT IN P+ POLYSILICON GATED P-CHANNEL MOSFET CHANG, CY; LIN, CY; CHOU, JW; HSU, CCH; PAN, HT; KO, J
國立交通大學 2014-12-08T15:03:33Z TRANSCONDUCTANCE ENHANCEMENT DUE TO BACK BIAS FOR SUBMICRON NMOSFET GUO, JC; CHANG, MC; LU, CY; HSU, CCH; CHUNG, SSS
國立交通大學 2014-12-08T15:03:14Z SUPPRESSION OF BORON PENETRATION IN BF2-IMPLANTED P-TYPE GATE MOSFET BY TRAPPING OF FLUORINES IN AMORPHOUS GATE LIN, CY; CHANG, CY; HSU, CCH

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