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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:42:13Z Characterization of porous silicate for ultra-low k dielectric application Liu, PT; Chang, TC; Hsu, KC; Tseng, TY; Chen, LM; Wang, CJ; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:41:19Z Substrate-triggered SCR device for on-chip ESD protection in fully silicided sub-0.25-mu m CMOS process Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:40:31Z Latchup-free ESD protection design with complementary substrate-triggered SCR devices Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:40:21Z SCR device with double-triggered technique for on-chip ESD protection in sub-quarter-micron silicided CMOS processes Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:40:07Z Dummy-gate structure to improve turn-on speed of silicon-controlled rectifier (SCR) device for effective electrostatic discharge (ESD) protection Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:37:23Z A cost-effective fast frequency-hopped code-division multiple-access light source using self-seeded Fabry-Perot laser with fiber Bragg grating array Peng, WR; Peng, PC; Lin, WP; Hsu, KC; Lai, YC; Chi, S
國立交通大學 2014-12-08T15:26:37Z On-chip ESD protection circuit design with novel substrate-triggered SCR device in sub-quarter-micron CMOS process Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:26:34Z ESD protection design for mixed-voltage I/O circuit with substrate-triggered technique in sub-quarter-micron CMOS process Ker, MD; Chuang, CH; Hsu, KC; Lo, WY
國立交通大學 2014-12-08T15:26:29Z Complementary substrate-triggered SCR devices for on-chip ESD protection circuits Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:25:56Z Native-NMOS-triggered SCR (NANSCR) for ESD protection in 0.13-mu m CMOS integrated circuits Ker, MD; Hsu, KC

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