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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:25:38Z Self-substrate-triggered technique to enhance turn-on uniformity of multi-finger ESD protection devices Ker, MD; Chen, JH; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:25:22Z Design on power-rail ESD clamp circuit for 3.3-V I/O interface by using only 1-V/2.5-V low-voltage devices in a 130-nm CMOS process Ker, MD; Chen, WY; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:25:09Z Miniaturized 3-dimensional transformer design Chen, WZ; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:19:14Z SCR device fabricated with dummy-gate structure to improve turn-on speed for effective ESD protection in CMOS technology Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:19:08Z Fiber Bragg grating sequential UV-writing method with real-time interferometric side-diffraction position monitoring Hsu, KC; Sheu, LG; Chuang, KP; Chang, SH; Lai, YC
國立交通大學 2014-12-08T15:18:55Z Overview of on-chip electrostatic discharge protection design with SCR-based devices in CMOS integrated circuits Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:18:29Z Native-NMOS-triggered SCR With faster turn-on speed for effective ESD protection in a 0.13-mu m CMOS process Ker, MD; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:17:59Z Topology-aided cross-layer fast handoff designs for IEEE 802.11/Mobile IP environments Tseng, CC; Yen, LH; Chang, HH; Hsu, KC
國立交通大學 2014-12-08T15:16:51Z S-band gain-clamped grating-based erbium-doped fiber amplifier by forward optical feedback technique Yeh, CH; Lin, MC; Huang, TT; Hsu, KC; Ko, CH; Chi, S
國立交通大學 2014-12-08T15:06:13Z A NEW THRESHOLD-VOLTAGE MODEL FOR SMALL-GEOMETRY BURIED-CHANNEL MOSFETS WU, CY; HSU, KC

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