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| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:46Z |
Material and ultrafast optoelectronic properties of furnace-annealed arsenic-ion-implanted GaAs
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Lin, GR; Chen, WC; Chang, CS; Chao, SC; Wu, KH; Hsu, TM; Lee, WC; Pan, CL |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:04:49Z |
PHOTOREFLECTION STUDY ON THE SURFACE ELECTRIC-FIELD OF DELTA-DOPED GAAS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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LIU, DG; CHANG, KH; LEE, CP; HSU, TM; TIEN, YC |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:04:49Z |
FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS OF DELTA-DOPED GAAS
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HSU, TM; TIEN, YC; LU, NH; TSAI, SP; LIU, DG; LEE, CP |
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