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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	1998-06	High-breakdown characteristics of the InP-based heterostructure field-effect transistor with In0.34Al0.66As0.85Sb0.15 Schottky layer	Su, Jan-Shing; Hsu, Wei-Chou; Lin, Wei; Jain, Shin-Yuh
國立成功大學	1998-05	Electrical characteristics of heterostructure-emitter bipolar transistors using spacer layers	Lin, Y. S.; Shieh, H. M.; Hsu, Wei-Chou; Su, J. S.; Huang, J. Z.; Wu, Y. H.; Ho, S. D.; Lin, W.

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