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機構	日期	題名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:43:11Z	Comparison of InGaP/InGaAs/GaAs and InGaPtInGaAs/AlGaAs pseudomorphic high electron mobility transistors	Huang, CE; Lee, CP; Huang, RT; Chang, MCF
國立交通大學	2014-12-08T15:41:56Z	Critical spacing between emitter and base in InGaP heterojunction bipolar transistors (HBTs)	Huang, CE; Lee, CP; Liang, HC; Huang, RT

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