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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:04Z CHARACTERIZATION OF SI/SIGE STRAINED-LAYER SUPERLATTICES GROWN BY AN ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION TECHNIQUE CHANG, TC; CHANG, CY; JUNG, TG; TSAI, WC; HUANG, GW; WANG, PJ
國立交通大學 2014-12-08T15:03:44Z CHARACTERIZATION OF THE SI/SIGE HETEROJUNCTION DIODE GROWN BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION JUNG, TG; CHANG, CY; LIU, CS; CHANG, TC; LIN, HC; TSAI, WC; HUANG, GW; CHEN, LP
國立交通大學 2014-12-08T15:03:15Z EPITAXY OF SI1-XGEX BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION USING SI2H6 AND GEH4 CHEN, LP; CHOU, TC; TSAI, WC; HUANG, GW; TSENG, HC; LIN, HC; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:03:13Z ABRUPTNESS OF GE COMPOSITION AT THE SI/SIGE INTERFACE GROWN BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION TSAI, WC; CHANG, CY; JUNG, TG; LIOU, TS; HUANG, GW; CHANG, TC; CHEN, LP; LIN, HC
國立交通大學 2014-12-08T15:03:04Z BORON INCORPORATION IN SI1-XGEX FILMS GROWN BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION USING SI2H6 AND GEH4 CHEN, LP; CHOU, CT; HUANG, GW; TSAI, WC; CHANG, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:02:53Z Light emission from the porous boron delta-doped Si superlattice Chang, TC; Yeh, WK; Hsu, MY; Chang, CY; Lee, CP; Jung, TG; Tsai, WC; Huang, GW; Mei, YJ
國立交通大學 2014-12-08T15:02:52Z Disordered Si/SiGe superlattices grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition Chang, TC; Yeh, WK; Chang, CY; Jung, TG; Tsai, WC; Huang, GW; Mei, YJ
國立交通大學 2014-12-08T15:02:46Z Phosphorus doping of Si and Si1-xGex grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition using Si2H6 and GeH4 Chen, LP; Huang, GW; Chang, CY
國立交通大學 2014-12-08T15:02:43Z Uniformity of epilayer grown by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition Chang, TC; Yeh, WK; Chang, CY; Jung, TG; Tsai, WC; Huang, GW; Mei, YJ
國立交通大學 2014-12-08T15:02:05Z Low temperature epitaxy of Si and Si1-xGex by utrahigh vacuum-chemical molecular epitaxy Huang, GW; Chen, LP; Chou, CT; Chen, KM; Tseng, HC; Tasi, WC; Chang, CY

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