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機構 日期 題名 作者
國立成功大學 2015-07-29 利用田口方法分析具有應變矽N型MOSFET於矽碳源/汲極(SiC S/D)與接觸蝕刻停止層(CESL)應力源作用之最佳化設計 黃揚倫; Huang, Yang-Lun

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