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| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:10Z |
A 190-GHz amplifier with gain-boosting technique in 65-nm CMOS
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Siao, D.-S.;Kao, J.-C.;Hsiao, Y.-H.;Hsu, Y.-W.;Teng, Y.-M.;Huang, G.-W.;Lin, K.-Y.;Wang, H.; Siao, D.-S.; Kao, J.-C.; Hsiao, Y.-H.; Hsu, Y.-W.; Teng, Y.-M.; Huang, G.-W.; Lin, K.-Y.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:10Z |
A 53 to 84 GHz CMOS power amplifier with 10.8-dBm output power and 31 GHz 3-dB bandwidth
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Chiang, P.-H.;Lin, W.-H.;Huang, T.-Y.;Wang, H.; Chiang, P.-H.; Lin, W.-H.; Huang, T.-Y.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:09Z |
A 90-GHz power amplifier with 18-dBm output power and 26 GHz 3-dB bandwidth in standard RF 65-nm CMOS technology
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Tsai, Z.-M.;Hsiao, Y.-H.;Liao, H.-C.;Wang, H.; Tsai, Z.-M.; Hsiao, Y.-H.; Liao, H.-C.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:08Z |
A low voltage Q-band CMOS LNA with magnetic coupled cascode topology
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Yeh, H.-C.;Chiong, C.-C.;Wang, H.; Yeh, H.-C.; Chiong, C.-C.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:08Z |
A 24-GHz low power and high isolation active quasi-circulator
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Huang, D.-J.;Kuo, J.-L.;Wang, H.; Huang, D.-J.; Kuo, J.-L.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:07Z |
A high range resolution 9.4/18.8 GHz harmonic radar for bees searching
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Tsai, Z.-M.;Jau, P.-H.;Kuo, N.-C.;Kao, J.-C.;Lin, K.-Y.;Chang, F.-R.;Yang, E.-C.;Wang, H.; Tsai, Z.-M.; Jau, P.-H.; Kuo, N.-C.; Kao, J.-C.; Lin, K.-Y.; Chang, F.-R.; Yang, E.-C.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:06Z |
W -band flip-chip assembled CMOS amplifier with transition compensation network for SiP integration
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Kuo, C.-C.;Lin, P.-A.;Lu, H.-C.;Jiang, Y.-S.;Liu, C.-M.;Hsin, Y.-M.;Wang, H.; Kuo, C.-C.; Lin, P.-A.; Lu, H.-C.; Jiang, Y.-S.; Liu, C.-M.; Hsin, Y.-M.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:06Z |
A 22-dBm 24-GHz power amplifier using 0.18-μm CMOS technology
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Huang, P.-C.;Kuo, J.-L.;Tsai, Z.-M.;Lin, K.-Y.;Wang, H.; Huang, P.-C.; Kuo, J.-L.; Tsai, Z.-M.; Lin, K.-Y.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:06Z |
A 15-50 GHz broadband resistive FET ring mixer using 0.18-μm CMOS technology
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Chen, J.-H.;Kuo, C.-C.;Hsin, Y.-M.;Wang, H.; Chen, J.-H.; Kuo, C.-C.; Hsin, Y.-M.; Wang, H.; HUEI WANG |
| 臺大學術典藏 |
2020-06-04T07:54:05Z |
3 mW V-band divide-by-2 and W-band divide-by-4 wide locking range frequency dividers in 90-nm CMOS
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Chen, C.-C.;Wang, H.;Tsao, H.-W.;Wang, C.-H.; Chen, C.-C.; Wang, H.; Tsao, H.-W.; Wang, C.-H.; HUEI WANG |
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