臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立東華大學	2008	Effect of antimony incorporation on the density, shape, and luminescence of InAs quantum dots	祁錦雲; Jim-Yong Chi;J. F. Chen;C. H. Chiang; Y. H. Wu; L. Chang
國立東華大學	2008	Strain relaxation in InAs self-assembled quantum dots induced by a high N incorporation	祁錦雲; Jim-Yong Chi;J. F. Chen; C. H. Yang; Y. H. Wu; L. Chang
中原大學	2007-08-07	Relaxation-induced Lattice Misfits and Their Effects on the Emission Properties of InAs Quantum Dots	J. F. Chen;Y. Z. Wang;C. H. Chiang;R. S. Hsiao;Y. H. Wu;L. Chang;J. S. Wang;T. W. Chi;J. Y. Chi
中原大學	2007-05-08	Evidence for the Electron Trap State Associated with N-rich Clusters in InGaAsN/GaAs Quantum Wells	J. F. Chen;P. C. Hsieh;R. S. Hsiao;J. S. Wang;J. Y. Chi
義守大學	2007-05	Single-stage high-power-factor electronic ballast with complex frequency modulation for HID lamps	T.-J. Liang;C.-A. Cheng;J.-F. Chen;R.-L. Lin
國立東華大學	2007	Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures	祁錦雲; Jim-Yong Chi;J S Wang; S H Yu; Y R Lin; H H Lin; C S Yang; T T Chen; Y F Chen; G W Shu; J L Shen; R S Hsiao; J F Chen
國立東華大學	2007	Evidence for the electron trap state associated with N-rich clusters in InGaAsN/GaAs quantum wells	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J F Chen; PC Hsieh; R S Hsiao; J S. Wang
國立臺灣海洋大學	2006-12-14	The photoluminescence decay time of self-assembled InAs quantum dots covered by InGaAs layers	G. W. Shu;C. K. Wang;J. S. Wang;J. L. Shen;R. S. Hsiao;W. C. Chou;J. F. Chen;T. Y. Lin;C. H. Ko;C. M. Lai
元智大學	2006-11	The photoluminescence decay time of self-assembled InAs quantum dots covered by InGaAs layers	柯正浩; G W Shu; C K Wang; J S Wang; J L Shen; R S Hsiao; W C Chou; J F Chen; T Y Lin; C M Lai
國立東華大學	2006	Strain relaxation and induced defects in InAsSb self-assembled quantum dots	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen; R. S. Hsiao; W. D. Huang; Y. H. Wu; L. Chang; J. S. Wang

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