臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
國立東華大學	2007	Optical and structural properties of vertically stacked and electronically coupled quantum dots in InAs/GaAs multilayer structures	祁錦雲; Jim-Yong Chi;J S Wang; S H Yu; Y R Lin; H H Lin; C S Yang; T T Chen; Y F Chen; G W Shu; J L Shen; R S Hsiao; J F Chen
國立東華大學	2007	Evidence for the electron trap state associated with N-rich clusters in InGaAsN/GaAs quantum wells	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J F Chen; PC Hsieh; R S Hsiao; J S. Wang
國立臺灣海洋大學	2006-12-14	The photoluminescence decay time of self-assembled InAs quantum dots covered by InGaAs layers	G. W. Shu;C. K. Wang;J. S. Wang;J. L. Shen;R. S. Hsiao;W. C. Chou;J. F. Chen;T. Y. Lin;C. H. Ko;C. M. Lai
元智大學	2006-11	The photoluminescence decay time of self-assembled InAs quantum dots covered by InGaAs layers	柯正浩; G W Shu; C K Wang; J S Wang; J L Shen; R S Hsiao; W C Chou; J F Chen; T Y Lin; C M Lai
國立東華大學	2006	Strain relaxation and induced defects in InAsSb self-assembled quantum dots	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen; R. S. Hsiao; W. D. Huang; Y. H. Wu; L. Chang; J. S. Wang
國立東華大學	2006	Effect of incorporating an InAlAs layer on electron emission in self-assembled InAs quantum dots	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen;R. S. Hsiao; M. F. Hsieh; J. S. Wang; J. Y. Chi
國立東華大學	2006	Evolution of conduction and 5 interface states of laterally wet-oxidized AlGaAs with oxidation time	祁錦雲; Jim-Yong Chi; J. F. Chen; R. S. Hsiao; W. K. Hung; J. S. Wang
中原大學	2005-09-29	Strain relaxation in InAs/InGaAs quantum dots investigated by photoluminescence and capacitance-voltage profiling	J. F. Chen;R. S. Hsiao;Y. P. Chen;J. S. Wang;J. Y. Chi
中原大學	2005-07	Characterization of electron emission from relaxed InAs quantum dots capped with InGaAs	J. F. Chen;R. S. Hsiao;C. K. Wang;J. S. Wang;J. Y. Chi
亞洲大學	2005-07	Terephthalic Acid Occupational Exposure and Its Effect on Organ Functions in Fiber Workers	G.D. Dai; L.B. Cui; L. Song, N. Gong; J.F. Chen; R.Z. Zhao; S. L.Wang; H.C. Chang;X.R. Wang

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