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机构 日期 题名 作者
國立中山大學 2001-10 Recessed Multi-Gate SOI MOSFET's in Deep Decanonometer regime Jyi-Tsong Lin;Shih-Chang Chang;Kuo-Ying Huang;Yan-Youg Xu;Ping-Shin Jue
國立中山大學 2001 深淺接面與毫微米元件之研究 林吉聰; Jyi-Tsong Lin
國立中山大學 2000-03 A NEW GCP CELL TECHNOLOGY FOR DRAM DESIGN Harn-Bor Yang;Jyi-Tsong Lin
國立中山大學 2000-03 AN INITIAL OVERDRIVEN SENSE AMPLIFIER FOR LOW VOLTAGE DRAMs Jyi-Tsong Lin;Cheng-Chih Hsu
國立中山大學 2000 多邊閘極元件的製作比較與特性的研究 林吉聰; Jyi-Tsong Lin
國立中山大學 1999-08 The I/O Line Boosted Sensing Scheme for High Performance DRAMs Jyi-Tsong Lin;Cheng-Chih Hsu
國立中山大學 1998-08 A New Word Line Driver for Low Power DRAM's Jyi-Tsong Lin;L. Tsai
國立中山大學 1995-09 A Simple General SOI Model for Efficient Circuit Simulation Jyi-Tsong Lin
國立中山大學 1994-10 Parameter Characterization of Double Gate Ultra-Thin SOI MOSFET Jyi-Tsong Lin
國立中山大學 1994-08 An Efficient SOI MOSFET's Model for SPICE-DC Analysis Jyi-Tsong Lin;King-Yu Lu
國立中山大學 1994-08 A New DC Current Characteristic Model of SOI MOSFETS for Circuit Simulation Jyi-Tsong Lin;Chung-Ming Lee
國立中山大學 1994 小幾何超薄SOI金氧半的CAD模型 林吉聰; Jyi-Tsong Lin
國立中山大學 1993-10 New Concepts of SOI Modelling for Use in Circuit Simulator Jyi-Tsong Lin;K.G. Nichols
國立中山大學 1993-06 Reliability of Circuit-level Simulation K.G. Nicholas;Jyi-Tsong Lin;A.D. Brown;T. Kazmierski;M. Zwolinski
國立中山大學 1992 Analytical Current Characteristics Model of SOI MOSFET Jyi-Tsong Lin; Ken G. Nichols
國立中山大學 1985-05 A Logic/Timing Simulator for Digital MOSIC Jyi-Tsong Lin;Chein-Wei Jen;Wen-Zen Shen;Chung-Len Lee

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