臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立臺灣海洋大學	2013	Luminescence studies in InxGa1-xN epitaxial layers with different indium contents	T.Y. Wu; C.C. Chang; K.K. Tiong; Y.C. Lee; S.Y. Hu; L.Y. Lin; T.Y. Lin; Z.C. Feng
國立臺灣海洋大學	2012-11	High-Temperature Optical Characterization of Transition Metal Dichalcogenides by Piezoreflectance Measurements	D. O. Dumcenco;Y. S. Huang;K. K. Tiong;A. Colev;C. Gherman;L. Kulyuk
國立臺灣海洋大學	2012-08	Photoluminescence characterization of vertically aligned ZnO microrods	Dumitru Dumcenco; D. H. Kuo; Ying-Sheng Huang; K. K. Tiong
國立臺灣海洋大學	2012-06	Optical characterization of a strain compensated GaAs0.64Sb0.36/GaAs0.79P0.21 quantum well structure grown by metal organic vapor phase epitaxy	C.T. Huang; J.D. Wu; C.F. Liu; Y.S. Huang; C.T. Wan; Y.K. Su; K.K. Tiong
國立臺灣海洋大學	2012-01	Influence of anionic substitution on the electrolyte electroreflectance study of band edge transitions in single crystal Cu2ZnSn(SxSe1−x)4 solid solutions	S. Levcenco; D. Dumcenco; Y.P. Wang; Y.S. Huang; C.H. Hob; E. Arushanov; V. Tezlevan; K.K. Tiong
國立臺灣海洋大學	2012-01	Deposition and structural characterization of nanostructured RuO2 on rutile-TiO2/sapphire(100) templates by reactive radio frequency magnetron sputtering	Y.M. Chen; C.N. Yeh; C.A. Chen; Y.S. Huang; H.P. Hsu; D.S. Tsai; K.K. Tiong
國立臺灣海洋大學	2012-01	Photoreflectance study of direct-gap interband transitions in Ge/SiGe multiple quantum wells with Ge-rich barriers	H. P. Hsu; P. H. Wu; Y. S. Huang; D. Chrastina; G. Isella; H. von Känel; K. K. Tiong
國立臺灣海洋大學	2012-01	Temperature dependence of the direct interband transitions of a Ge/SiGe multiple-quantum-well structure with Ge-rich barriers	P. H. Wu; Y. S. Huang; H. P. Hsu; D. Chrastina; G. Isella; H. von Känel; K. K. Tiong
國立臺灣海洋大學	2012	Photoluminescence and Raman scattering characterization of Cu2ZnSiQ4(Q = S, Se) single crystals	S. Levcenco; D.O. Dumcenco; Y.P. Wang; J.D. Wu; Y.S. Huang; E. Arushanov; V. Tezlevan; K.K. Tiong
國立臺灣海洋大學	2012	Above-room-temperature photoluminescence from a strain-compensated Ge/Si0.15Ge0.85 multiple-quantum-well structure	P. H. Wu;D. Dumcenco;Y. S. Huang;H. P. Hsu;C. H. Lai;T. Y. Lin;D. Chrastina;G. Isella;E. Gatti;K. K. Tiong

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