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机构 日期 题名 作者
國立臺灣大學 2003 Modeling the Fringing Electric Field Effect on the Threshold Voltage of FD SOI NMOS Devices with the LDD/Sidewall Oxide Spacer Structure Lin, S.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2002-03-14 Sub-I V CMOS large capacitive-load driver circuit using direct bootstrap technique for ' low-voltage CMOS VLSI Chen, P.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2002 Compact threshold-voltage model for short-channelpartially-depleted (PD) SOI dynamic-threshold MOS (DTMOS) devices Kuo, J.B.; Yuan, Kuo-Hua; Lin, Shih-Chia
國立臺灣大學 2002 Sub-1 V CMOS large capacitive-load driver circuit using directbootstrap technique for low-voltage CMOS VLSI Chen, P.C.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2002 A 0.8-V 128-Kb Four-Way Set-Associative Two-Level CMOS Cache Memory Using Two-Stage Wordline/Bitline-Oriented Tag-Compare (WLOTC/BLOTC) Scheme Lin, Perng-Fei; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2002 0.8V CMOS Adiabatic Differential Switch Logic Circuit Using Bootstrap Technique for Low-Voltage Low-Power VLSI Zhang, Y.; Chen, H.H.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2002 Closed-Form Breakdown Voltage Model for PD SOI NMOS Devices Considering Impact Ionization of Both Parasitic BJT and Surface MOS Channel Simultaneously Lin, Shih-Chia; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2002 Closed-form analytical drain current model considering energy transport and self-heating for short-channel fully-depleted SOI NMOS devices with lightly-doped drain structure biased in strong inversion Lin, Shih-Chia; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2001 A Novel Low-Voltage Content-Addressable-Memory (CAM) Cell with a Fast Tag-Compare Capability using Partially-Depleted (PD) SOI CMOS Dynamic-Threshold (DTMOS) Techniques Liu, S.C.; Wu, F.A.; Kuo, J.B.
國立臺灣大學 2001 A 1-V 128-kb four-way set-associative CMOS cache memory usingwordline-oriented tag-compare (WLOTC) structure with thecontent-addressable-memory (CAM) 10-transistor tag cell Lin, Perng-Fei; Kuo, J.B.

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