臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2021-08-03T00:39:55Z	Identifying Performance-Limiting Deep Traps in Ta3N5 for Solar Water Splitting	J. Fu; F. Wang; Y. Xiao; Y. Yao; C. Feng; L. Chang; C.-M. Jiang; V. F. Kunzelmann; Z. M. Wang; A. O. Govorov; I. D. Sharp; Y. Li; CHANG-MING JIANG
元智大學	2011-07	Heteroepitaxial growth of InN on GaN intermediate layer by PA-MOMBE	Fang-I Lai; S. Y. Kuo; W. C. Chen; W. T. Lin; W. L. Wang; L. Chang; C. N. Hsiao; C. H. Chiang
國立中山大學	2009	The influence of interface modifier on the performance of nanostructured ZnO/polymer hybrid solar cells	Y.Y. Lin;Y.Y. Lee;L. Chang;J.J. Wu;C.W. Chen
國立中山大學	2009	Growth behavior and microstructure of ZnO epilayer on γ-LiAlO2(100) substrate by chemical vapor deposition	L. Chang;M.M.C. Chou;T.H. Hwang;C.W. Chen
國立中山大學	2009	Growth behavior of nonpolar GaN on the nearly lattice-matched (100) g-LiAlO2 substrate by chemical vapor deposition	M.M.C. Chou;L. Chang;C.H. Chen;W.F. Yang;C.H.A. Li;J.J. Wu
國立中山大學	2009	Growth and characterization of m-plane GaN-based layers on LiAlO2 (100) grown by MOVPE	D.R. Hang;M.M.C. Chou;L. Chang;Y. Dikme;M. Heuken
國立東華大學	2008	Effect of antimony incorporation on the density, shape, and luminescence of InAs quantum dots	祁錦雲; Jim-Yong Chi;J. F. Chen;C. H. Chiang; Y. H. Wu; L. Chang
國立東華大學	2008	Strain relaxation in InAs self-assembled quantum dots induced by a high N incorporation	祁錦雲; Jim-Yong Chi;J. F. Chen; C. H. Yang; Y. H. Wu; L. Chang
中原大學	2007-08-07	Relaxation-induced Lattice Misfits and Their Effects on the Emission Properties of InAs Quantum Dots	J. F. Chen;Y. Z. Wang;C. H. Chiang;R. S. Hsiao;Y. H. Wu;L. Chang;J. S. Wang;T. W. Chi;J. Y. Chi
元智大學	2007-02	Effect of gate sinking on the device performance of the InGaP/AlGaAs/ InGaAs enhancement-mode PHEMT	許恒通; L.H. Chu; E. Y. Chang; L. Chang; Y. H. Wu; S. H. Chen; T. L. Lee; Y. C. Lien; C. Y. Chang

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