臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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机构	日期	题名	作者
臺大學術典藏	2018-09-10T05:29:18Z	A wide-band CMOS injection-locked ring oscillator	L.-H. Lu; J.-C. Chien; LIANG-HUNG LU
臺大學術典藏	2018-09-10T05:29:18Z	A compact 2.4/5.2-GHz CMOS dual-band low-noise amplifier	L.-H. Lu; H.-H. Hsieh; Y.-S. Wang; LIANG-HUNG LU
臺大學術典藏	2018-09-10T04:59:51Z	The design of the CMOS current-mode general purpose analog processor	L.-H. Lu; C.-Y. Wu; LIANG-HUNG LU
臺大學術典藏	2018-09-10T04:59:51Z	A 4-91-GHz traveling-wave amplifier in a standard 0.12-μm SOI CMOS microprocessor technology	J. Kim; N. Zamdmer; L.-H. Lu; M. Sherony; Y. Tan; R. Groves; R. Trzcinski; M. Talbi; A. Ray; L. Wagner; J. P. Plouchart; LIANG-HUNG LU et al.
臺大學術典藏	2018-09-10T04:36:03Z	A 4-91 GHz distributed amplifier in a standard 0.12 μm SOI CMOS microprocessor technology	J. Kim; N. Zamdmer; L.-H. Lu; M. Sherony; Y. Tan; R. Groves; R. Trzcinski; M. Talbi; A. Ray; L. Wagner; J. O. Plouchart; LIANG-HUNG LU et al.
臺大學術典藏	2018-09-10T04:36:02Z	High-performance three-dimensional on-chip inductors in SOI CMOS technology for monolithic RF circuit applications	J. O. Plouchart; N. Zamdmer; N. Fong; L.-H. Lu; Y. Tan; K. Jenkins; M. Sherony; R. Groves; M. Kumar; A. Ray; J. Kim; LIANG-HUNG LU et al.
臺大學術典藏	2018-09-10T04:36:02Z	3-dimensional vertical parallel plate capacitors in an SOI CMOS technology for integrated RF circuits	J. O. Plouchart; N. Zamdmer; M. Sherony; L.-H. Lu; Y. Tan; M. Yoon; K. A. Jenkins; M. Kumar; A. Ray; L. Wagner; J. Kim; LIANG-HUNG LU et al.
臺大學術典藏	2018-09-10T04:15:41Z	Suitability of scaled SOI CMOS for high-frequency analog circuits	N. Zamdmer; J. O. Plouchart; J. Kim; L.-H. Lu; S. Narasimha; P. A. O’Neil; A. Ray; M. Sherony; L. Wagner; LIANG-HUNG LU
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:56Z	An X-band high-power amplifier using SiGe/Si HBT and lumped passive components	Z. Ma; S. Mohammadi; L.-H. Lu; P. Bhattacharya; L. P. B. Katehi; S. A. Alterovitz; G. E. Ponchak; LIANG-HUNG LU
臺大學術典藏	2018-09-10T03:50:56Z	SiGe power heterojunction bipolar transistors (HBTs) fabricated by fully self-aligned double mesa technology	L.-H. Lu; S. Mohammadi; Z. Ma; G. E. Ponchak; S. A. Alterovitz; K. M. Strohm; J.-K. Luy; P. Bhattacharya; L. P. B. Katehi; LIANG-HUNG LU

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