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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:25:47Z	Modeling finger number dependence on RF noise to 10 GHz in 0.13 mu m node MOSFETs with 80nm gate length	King, MC; Lai, ZM; Huang, CH; Lee, CF; Ma, MW; Huang, CM; Chang, Y; Chin, A
國立交通大學	2014-12-08T15:25:25Z	Low noise and high gain RF MOSFETs on plastic substrates	Kao, HL; Chin, A; Huang, CC; Hung, BF; Chiang, KC; Lai, ZM; McAlister, SP; Chi, CC

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