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| 國立交通大學 |
2017-04-21T06:55:41Z |
The Effect of the Thickness of the Low Temperature AlN Nucleation Layer on the Material Properties of GaN Grown on a Double-Step AlN Buffer Layer by the MOCVD Method
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Huang, Wei-Ching; Chu, Chung-Ming; Hsieh, Chi-Feng; Wong, Yuen-Yee; Chen, Kai-Wei; Lee, Wei-I; Tu, Yung-Yi; Chang, Edward-Yi; Dee, Chang Fu; Majlis, B. Y.; Yap, S. L. |
| 國立交通大學 |
2015-12-02T02:59:32Z |
Use of hydrogen etching to remove existing dislocations in GaN epitaxial layers
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Yeh, Yen-Hsien; Chu, Chung-Ming; Wu, Yin-Hao; Hsu, Ying-Chia; Yu, Tzu-Yi; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:05:19Z |
在不同緩衝層上以有機金屬化學氣相磊晶法成長非極性氮化鎵之研究
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鍾文章; Jung, Wen-Jang; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:05:14Z |
氮化鎵基板經化學機械研磨後損害層觀察與去除之研究
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陳奎佑; Chen, Kuei-You; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:05:14Z |
氫氣處理對氮化鎵表面影響之研究
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徐瑩珈; Hsu, Ying-Chia; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:18Z |
利用侷域表面電漿共振提升氮化鎵MSM光偵測器效能
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郭巧涵; Kuo, Chiao-Han; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:12Z |
使用次世代基板製作高效率LED之研究
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蔡明達; Tsai,Ming Ta; 李威儀; Lee , Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:57:12Z |
利用氫化物氣相磊晶法在物理氣相沉積氮化鋁的緩衝層上成長氮化鎵厚膜之研究
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孫晟淵; Sun, Chen-Yuan; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:43Z |
利用分子束磊晶法在氮極性面與鎵極性面之氮化鎵上成長異質結構CuInSe2之特性研究
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李卓翰; Lee, Chuo-Han; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T11:21:07Z |
The growth of heteroepitaxial CuInSe2 on free-standing N-polar GaN
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Shih, Cheng-Hung; Lo, Ikai; You, Shuo-Ting; Tsai, Cheng-Da; Tseng, Bae-Heng; Chen, Yun-Feng; Chen, Chiao-Hsin; Lee, Chuo-Han; Lee, Wei-I; Hsu, Gary Z. L. |
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