| 國立交通大學 |
2015-07-21T11:20:39Z |
The effect of free-standing GaN substrate on carrier localization in ultraviolet InGaN light-emitting diodes
|
Tsai, Ming-Ta; Chu, Chung-Ming; Huang, Che-Hsuan; Wu, Yin-Hao; Chiu, Ching-Hsueh; Li, Zhen-Yu; Tu, Po-Min; Lee, Wei-I; Kuo, Hao-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:50Z |
Etching method for nitride semiconductor
|
Lee, Wei-I; Huang, Hsin-Hsiung; Zeng, Hung-Yu |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:33Z |
MANUFACTURE METHOD OF MULTILAYER STRUCTURE HAVING NON-POLAR A-PLANE III-NITRIDE LAYER
|
Lee, Wei-I; Chen, Jenn-Fang; Chiang, Chen-Hao |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:32Z |
METHOD FOR GROWING GROUP III-V NITRIDE FILM AND STRUCTURE THEREOF
|
LEE, Wei I; Huang, Hsin Hsiung; Chen, Kuei Ming; Yeh, Yen Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:18Z |
METHOD FOR GROWING GROUP III-V NITRIDE FILM AND STRUCTURE THEREOF
|
Lee Wei I; Huang Hsin Hsiung; Chen Kuei Ming; Yeh Yen Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:16Z |
Method for treating group III nitride semiconductor
|
Lee Wei-I; Hsu Ying-Chia; Yeh Yen-Hsien; Chen Kuei-Ming |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:08Z |
Method for smoothing group lll nitride semiconductor substrate
|
Lee Wei-I; Chen Kuei-Ming; Wu Yin-Hao; Yeh Yen-Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:00Z |
METHOD FOR TREATING THE DISLOCATION IN A GAN-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER
|
Lee Wei-I; Yeh Yen-Hsien; Wu Yin-Hao; Yu Tzu-Yi |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:14:18Z |
Manufacture method of a multilayer structure having non-polar a-plane {11-20} III-nitride layer
|
Lee Wei-I; Chen Jenn-Fang; Chiang Chen-Hao |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:14:02Z |
Method for treating the dislocation in a GaN-containing semiconductor layer
|
Lee Wei-I; Yeh Yen-Hsien; Wu Yin-Hao; Yu Tzu-Yi |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:59Z |
Method for smoothing group III nitride semiconductor substrate
|
Lee Wei-I; Chen Kuei-Ming; Wu Yin-Hao; Yeh Yen-Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:58Z |
Method for treating group III nitride semiconductor
|
Lee Wei-I; Hsu Ying-Chia; Yeh Yen-Hsien; Chen Kuei-Ming |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:50:24Z |
非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:53Z |
以氫化物氣相磊晶法開發III-V族氮化物基板( II )
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:05Z |
以單晶氮化鎵基板上同質磊晶成長氮化鋁銦鎵系列發光元件之研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:22Z |
非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:54Z |
極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:31Z |
科普活動---電影談物理
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:49Z |
極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:58Z |
科普活動：電影談物理
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:12Z |
極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:56Z |
高效益太空用太陽電池的研究發展
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:38Z |
有機金屬氣相磊晶法成長寬能隙氮化物材料之研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:31Z |
高效率太空用太陽電池的研究發展
|
李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:01Z |
具有梯狀導波管之虛陰極振盪器線路理論分析研究
|
李威儀; LEE WEI-I |
