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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-12T02:19:28Z 碲摻雜磷化銦鋁之缺陷研究 宋維哲; Sung, Wei-Jer; 李威儀; Lee, Wei-I
國立交通大學 2014-12-12T02:19:27Z 應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響 蘇晉德; Su, Zi-Ang; 李威儀; 黃金花; Lee, Wei-I; Huang, Jin-Hua
國立交通大學 2014-12-12T02:17:38Z 化合物半導體太陽電池之研究 楊玉惠; Yang, Yu-Hui; 李威儀; Lee Wei-I
國立交通大學 2014-12-12T02:12:54Z 積體電路生產線上考慮缺陷群聚現象的製程管制圖 曾乙弘; Tseng, Yi-Horng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I
國立交通大學 2014-12-12T02:12:53Z 積體電路良率模式之修正與研究 呂金盛; Leu, Chin-Sheng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I
國立交通大學 2014-12-12T01:57:32Z 以二階段氫化物氣相磊晶法製作非極性氮化鎵基板之研究 陳常臨; Chen, chan-lin; 李威儀; Lee Wei-I
國立交通大學 2014-12-12T01:57:32Z 獨立式氮化鎵不同極性面對於金屬半導體接面的影響 陳則銘; Chen, Tse-Ming; 李威儀; Lee, Wei-i
國立交通大學 2014-12-12T01:49:34Z 蕭特基紫外光偵測器製作於獨立式氮化鎵基板上之研究 高郁婷; Kao, Yu-ting; 李威儀; Lee, Wei-i
國立交通大學 2014-12-12T01:49:34Z 以氫化物氣相磊晶法在氮化鎵基板上成長高品質氮化鎵厚膜之研究 彭川耘; Peng,Chuan-Yun; 李威儀; Lee,Wei-I
國立交通大學 2014-12-12T01:49:25Z 以氫化物氣相磊晶成長非極性氮化鎵基板之研究 楊祐任; Yang, Yu-Jen; 李威儀; Lee, Wei-I

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