| 國立交通大學 |
2015-07-21T11:20:39Z |
The effect of free-standing GaN substrate on carrier localization in ultraviolet InGaN light-emitting diodes
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Tsai, Ming-Ta; Chu, Chung-Ming; Huang, Che-Hsuan; Wu, Yin-Hao; Chiu, Ching-Hsueh; Li, Zhen-Yu; Tu, Po-Min; Lee, Wei-I; Kuo, Hao-Chung |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:50Z |
Etching method for nitride semiconductor
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Lee, Wei-I; Huang, Hsin-Hsiung; Zeng, Hung-Yu |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:33Z |
MANUFACTURE METHOD OF MULTILAYER STRUCTURE HAVING NON-POLAR A-PLANE III-NITRIDE LAYER
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Lee, Wei-I; Chen, Jenn-Fang; Chiang, Chen-Hao |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:32Z |
METHOD FOR GROWING GROUP III-V NITRIDE FILM AND STRUCTURE THEREOF
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LEE, Wei I; Huang, Hsin Hsiung; Chen, Kuei Ming; Yeh, Yen Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:18Z |
METHOD FOR GROWING GROUP III-V NITRIDE FILM AND STRUCTURE THEREOF
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Lee Wei I; Huang Hsin Hsiung; Chen Kuei Ming; Yeh Yen Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:16Z |
Method for treating group III nitride semiconductor
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Lee Wei-I; Hsu Ying-Chia; Yeh Yen-Hsien; Chen Kuei-Ming |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:08Z |
Method for smoothing group lll nitride semiconductor substrate
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Lee Wei-I; Chen Kuei-Ming; Wu Yin-Hao; Yeh Yen-Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:15:00Z |
METHOD FOR TREATING THE DISLOCATION IN A GAN-CONTAINING SEMICONDUCTOR LAYER
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Lee Wei-I; Yeh Yen-Hsien; Wu Yin-Hao; Yu Tzu-Yi |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:14:18Z |
Manufacture method of a multilayer structure having non-polar a-plane {11-20} III-nitride layer
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Lee Wei-I; Chen Jenn-Fang; Chiang Chen-Hao |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:14:02Z |
Method for treating the dislocation in a GaN-containing semiconductor layer
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Lee Wei-I; Yeh Yen-Hsien; Wu Yin-Hao; Yu Tzu-Yi |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:59Z |
Method for smoothing group III nitride semiconductor substrate
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Lee Wei-I; Chen Kuei-Ming; Wu Yin-Hao; Yeh Yen-Hsien |
| 國立交通大學 |
2014-12-16T06:13:58Z |
Method for treating group III nitride semiconductor
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Lee Wei-I; Hsu Ying-Chia; Yeh Yen-Hsien; Chen Kuei-Ming |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:50:24Z |
非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:53Z |
以氫化物氣相磊晶法開發III-V族氮化物基板( II )
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:49:05Z |
以單晶氮化鎵基板上同質磊晶成長氮化鋁銦鎵系列發光元件之研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:48:22Z |
非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:54Z |
極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:44:31Z |
科普活動---電影談物理
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:42:49Z |
極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:58Z |
科普活動：電影談物理
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:41:12Z |
極性與非極性氮化物薄膜同質磊晶於氮化鎵基板之成長機制與光電特性研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:56Z |
高效益太空用太陽電池的研究發展
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:38Z |
有機金屬氣相磊晶法成長寬能隙氮化物材料之研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:31Z |
高效率太空用太陽電池的研究發展
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:39:01Z |
具有梯狀導波管之虛陰極振盪器線路理論分析研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:38:32Z |
有機金屬氣相磊晶法成長砷化銦鎵與砷化銦量子點特性研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:56Z |
磷化銦鎵/砷化鎵雙接面太空用太陽電池之研發
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:37:49Z |
遠距電漿輔助及垂直型二硫式氮化鎵磊晶表面反應之分析與研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:34:13Z |
GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:32:33Z |
GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(I)
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:34Z |
GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(II)
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:30:10Z |
GaNAs與GaInNAs的磊晶成長與特性研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:23Z |
GaN/GaInN量子結構及藍紫光雷射二極體研究(III3)
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:22Z |
陽極氧化鋁奈米級孔洞應用在氮化鎵磊晶技術之研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:20Z |
以氫化物氣相磊晶法開發III-V族氮化物基板(I)
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:29:03Z |
氮極性面氮化鎵上成長量子結構之原理與應用
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:59Z |
InGaNAs與GaNAaSb量子井特性研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-13T10:28:45Z |
非極性氮化鎵薄膜成長機制探討及光電特性分析研究
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李威儀; LEE WEI-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T03:06:28Z |
利用氫化物氣相磊晶法在藍寶石基板上直接成長氮化鎵厚膜
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陳仲葳; Chen, Jhong-Wei; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:16Z |
獨立式氮化鎵氮極性面蕭特基二極體表面處理後之特性探討
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沈宗翰; Shen, Tsung-Han; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:16Z |
氮極性獨立式氮化鎵基板磷酸蝕刻機制與形貌探討
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杜佳豪; Du, Jia-Hao; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:16Z |
氮極性及非極性氮化鎵氫氣蝕刻之研究
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楊其昌; Yang, Chi-chang; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:50Z |
氮極性面氮化鎵基板之磷酸蝕刻活化能與表面形貌特性研究
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陳書雋; Chen, Hsu-Chun; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:49Z |
氫氣蝕刻氮化鎵之原理與應用
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葉彥顯; Yeh, Yen-Hsien; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:28Z |
氮化鎵之緩衝層對其電性與深能階之影響
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吳迪賢; Ngu, Di-Hsien; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:28Z |
碲摻雜磷化銦鋁之缺陷研究
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宋維哲; Sung, Wei-Jer; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:27Z |
應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響
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蘇晉德; Su, Zi-Ang; 李威儀; 黃金花; Lee, Wei-I; Huang, Jin-Hua |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:38Z |
化合物半導體太陽電池之研究
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楊玉惠; Yang, Yu-Hui; 李威儀; Lee Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:54Z |
積體電路生產線上考慮缺陷群聚現象的製程管制圖
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曾乙弘; Tseng, Yi-Horng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:53Z |
積體電路良率模式之修正與研究
|
呂金盛; Leu, Chin-Sheng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I |
