| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:16Z |
氮極性獨立式氮化鎵基板磷酸蝕刻機制與形貌探討
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杜佳豪; Du, Jia-Hao; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:45:16Z |
氮極性及非極性氮化鎵氫氣蝕刻之研究
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楊其昌; Yang, Chi-chang; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:50Z |
氮極性面氮化鎵基板之磷酸蝕刻活化能與表面形貌特性研究
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陳書雋; Chen, Hsu-Chun; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:38:49Z |
氫氣蝕刻氮化鎵之原理與應用
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葉彥顯; Yeh, Yen-Hsien; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:28Z |
氮化鎵之緩衝層對其電性與深能階之影響
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吳迪賢; Ngu, Di-Hsien; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:28Z |
碲摻雜磷化銦鋁之缺陷研究
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宋維哲; Sung, Wei-Jer; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:19:27Z |
應力與高濃度摻雜對低溫分子束磊晶生長砷化鎵的砷析出過程之影響
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蘇晉德; Su, Zi-Ang; 李威儀; 黃金花; Lee, Wei-I; Huang, Jin-Hua |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:17:38Z |
化合物半導體太陽電池之研究
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楊玉惠; Yang, Yu-Hui; 李威儀; Lee Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:54Z |
積體電路生產線上考慮缺陷群聚現象的製程管制圖
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曾乙弘; Tseng, Yi-Horng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T02:12:53Z |
積體電路良率模式之修正與研究
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呂金盛; Leu, Chin-Sheng; 唐麗英; 李威儀; Tong, Lee-Ing; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:32Z |
以二階段氫化物氣相磊晶法製作非極性氮化鎵基板之研究
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陳常臨; Chen, chan-lin; 李威儀; Lee Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:57:32Z |
獨立式氮化鎵不同極性面對於金屬半導體接面的影響
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陳則銘; Chen, Tse-Ming; 李威儀; Lee, Wei-i |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:34Z |
蕭特基紫外光偵測器製作於獨立式氮化鎵基板上之研究
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高郁婷; Kao, Yu-ting; 李威儀; Lee, Wei-i |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:34Z |
以氫化物氣相磊晶法在氮化鎵基板上成長高品質氮化鎵厚膜之研究
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彭川耘; Peng,Chuan-Yun; 李威儀; Lee,Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:25Z |
以氫化物氣相磊晶成長非極性氮化鎵基板之研究
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楊祐任; Yang, Yu-Jen; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:49:20Z |
氫氣蝕刻氮化鎵及其後續成長之研究
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余諮宜; Yu, Tzu-Yi; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:40:18Z |
利用氫化物氣相磊晶法成長非極性氮化鎵之研究
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洪文; Hung, Wen; 李威儀; Lee, wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:30:16Z |
氮化鎵基板的開發與同質磊晶研究
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陳奎銘; Chen, Kuei-Ming; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:30:13Z |
氮化鎵厚膜翹曲效應分析及其改善之研究
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楊定儒; Yang, Din-Ru; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:30:12Z |
利用奈米壓印微影及氫化物氣相磊晶技術成長氮化鎵之研究
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葉偉誠; Yeh, Wei-Cheng; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:30:12Z |
以氫化物氣相磊晶技術在獨立式氮化鎵基板上再成長氮化鎵厚膜
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高仲山; Gao, Zhong-Shan; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-12T01:30:06Z |
氮化鎵基板表面化學拋光製成之研究
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劉凱翔; Liu, Kai-Hsiang; 李威儀; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:48:58Z |
Formation of nitride laser cavities with cleaved facets on transferred laser diodes on GaAs substrates
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Yu, Wen-Chien; Ye, Shu-Mei; Hsiao, Feng-Ke; Lee, Chi-Ling; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:47:37Z |
Method for modulating the wafer bow of free-standing GaN substrates via inductively coupled plasma etching
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Chen, Kuei-Ming; Yeh, Yen-Hsien; Wu, Yin-Hao; Chiang, Chen-Hao; Yang, Din-Ru; Chao, Chu-Li; Chi, Tung-Wei; Fang, Yen-Hsang; Tsay, Jenq-Dar; Lee, Wei-I |
| 國立交通大學 |
2014-12-08T15:45:15Z |
Comparison between extended microtunnels along different crystal orientations in GaN
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Wu, Pei-Lun; Huang, Hsin-Hsiung; Zeng, Hung-Yu; Liu, Po-Chun; Lai, Chih-Ming; Tsay, Jeng-Dar; Lee, Wei-I |
