English  |  正體中文  |  简体中文  |  總筆數 :2856704  
造訪人次 :  53724903    線上人數 :  851
教育部委託研究計畫      計畫執行:國立臺灣大學圖書館
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
關於TAIR

瀏覽

消息

著作權

相關連結

"lee y j"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序 依日期排序

顯示項目 301-310 / 592 (共60頁)
<< < 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

機構 日期 題名 作者
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:45Z A novel approach of using a MBE template for ALD growth of high-庥 dielectrics Lee, K.Y.; Lee, W.C.; Huang, M.L.; Chang, C.H.; Lee, Y.J.; Chiu, Y.K.; Wu, T.B.; Hong, M.; Kwo, R.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:45Z MBE grown high 庥 dielectrics Ga2O3(Gd2O3) on GaN Chang, Y.C.; Lee, Y.J.; Chiu, Y.N.; Lin, T.D.; Wu, S.Y.; Chiu, H.C.; Kwo, J.; Wang, Y.H.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:44Z Observation of room temperature ferromagnetic behavior in cluster-free, Co doped Hf O2 films Chang, Y.H.; Soo, Y.L.; Lee, W.C.; Huang, M.L.; Lee, Y.J.; Weng, S.C.; Sun, W.H.; Hong, M.; Kwo, J.; Lee, S.F.; Ablett, J.M.; Kao, C.-C.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:44Z Structural and electrical characteristics of atomic layer deposited high 庥 HfO2on GaN Chang, Y.C.; Chiu, H.C.; Lee, Y.J.; Huang, M.L.; Lee, K.Y.; Hong, M.; Chiu, Y.N.; Kwo, J.; Wang, Y.H.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:44Z Defining new frontiers in electronic devices with high 庥 dielectrics and interfacial engineering Hong, M.; Lee, W.C.; Huang, M.L.; Chang, Y.C.; Lin, T.D.; Lee, Y.J.; Kwo, J.; Hsu, C.H.; Lee, H.Y.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:43Z Inelastic electron tunneling spectroscopy study of metal-oxide- semiconductor diodes based on high-庥 gate dielectrics You, S.L.; Huang, C.C.; Wang, C.J.; Ho, H.C.; Kwo, J.; Lee, W.C.; Lee, K.Y.; Wu, Y.D.; Lee, Y.J.; Hong, M.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:43Z Ga2 O3 (Gd2 O3) Si3 N4 dual-layer gate dielectric for InGaAs enhancement mode metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with channel inversion Zheng, J.F.; Tsai, W.; Lin, T.D.; Lee, Y.J.; Chen, C.P.; Hong, M.; Kwo, J.; Cui, S.; Ma, T.P.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:43Z InGaAs n-MOS devices integrated using ALD-HfO2/metal gate without surface cleaning and interfacial layer passivation MINGHWEI HONG;Lay, T.S.;Cheng, K.Y.;Liao, C.C.;Kwo, J.;Hong, M.;Lin, T.D.;Lee, K.Y.;Lee, Y.J.;Huang, M.L.;Chang, Y.C.; Chang, Y.C.; Huang, M.L.; Lee, Y.J.; Lee, K.Y.; Lin, T.D.; Hong, M.; Kwo, J.; Liao, C.C.; Cheng, K.Y.; Lay, T.S.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:43Z Structural and compositional investigation of yttrium-doped HfO2 films epitaxially grown on Si (111) Yang, Z.K.; Lee, W.C.; Lee, Y.J.; Chang, P.; Huang, M.L.; Hong, M.; Yu, K.L.; Tang, M.-T.; Lin, B.-H.; Hsu, C.-H.; Kwo, J.; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2019-12-27T07:49:42Z Atomic-layer-deposited Hf O2 on In0.53 Ga0.47 As: Passivation and energy-band parameters Chang, Y.C.; Huang, M.L.; Lee, K.Y.; Lee, Y.J.; Lin, T.D.; Hong, M.; Kwo, J.; Lay, T.S.; Liao, C.C.; Cheng, K.Y.; MINGHWEI HONG

顯示項目 301-310 / 592 (共60頁)
<< < 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目