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機構 日期 題名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:04:07Z DEPOSITION OF IN-SITU BORON-DOPED POLYCRYSTALLINE SILICON FILMS AT REDUCED PRESSURES LIN, HC; LIN, HY; CHANG, CY; LEI, TF; WANG, PJ; DENG, RC; LIN, JD
國立交通大學 2014-12-08T15:04:06Z THE DOUBLE RESONANT ENHANCEMENT OF OPTICAL 2ND-HARMONIC SUSCEPTIBILITY IN THE COMPOSITIONALLY ASYMMETRIC COUPLED-QUANTUM-WELL LIEN, CS; HUANG, YM; LEI, TF
國立交通大學 2014-12-08T15:04:05Z CORRELATION OF POLYSILICON THIN-FILM-TRANSISTOR CHARACTERISTICS TO DEFECT STATES VIA THERMAL ANNEALING CHERN, HN; LEE, CL; LEI, TF
國立交通大學 2014-12-08T15:04:04Z MEASUREMENT OF THIN OXIDE-FILMS ON IMPLANTED SI-SUBSTRATE BY ELLIPSOMETRY CHAO, TS; LEI, TF; CHANG, CY; LEE, CL
國立交通大學 2014-12-08T15:04:04Z ENHANCEMENT OF OXIDE BREAK-UP BY IMPLANTATION OF FLUORINE IN POLY-SI EMITTER CONTACTED P-+-N SHALLOW JUNCTION FORMATION WU, SL; LEE, CL; LEI, TF; CHEN, CF; CHEN, LJ; HO, KZ; LING, YC
國立交通大學 2014-12-08T15:04:03Z PD-GE CONTACT TO N-GAAS WITH THE TIW DIFFUSION BARRIER HUANG, WC; LEI, TF; LEE, CL
國立交通大學 2014-12-08T15:04:02Z LOW-TEMPERATURE GROWTH OF SILICON-BORON LAYER BY ULTRAHIGH-VACUUM CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION CHEN, TP; LEI, TF; LIN, HC; CHANG, CY; HSIEH, WY; CHEN, LJ
國立交通大學 2014-12-08T15:04:01Z SUPPRESSION OF THE BORON PENETRATION INDUCED SI/SIO2 INTERFACE DEGRADATION BY USING A STACKED-AMORPHOUS-SILICON FILM AS THE GATE STRUCTURE FOR PMOSFET WU, SL; LEE, CL; LEI, TF; CHEN, JF; CHEN, LJ
國立交通大學 2014-12-08T15:04:00Z THE EFFECTS OF FLUORINE PASSIVATION ON POLYSILICON THIN-FILM TRANSISTORS CHERN, HN; LEE, CL; LEI, TF
國立交通大學 2014-12-08T15:04:00Z IMPROVEMENT OF POLYSILICON OXIDE CHARACTERISTICS BY FLUORINE INCORPORATION CHERN, HN; LEE, CL; LEI, TF

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