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臺大學術典藏 2022-08-09T03:50:33Z Effects of interfacial layers in InGaNGaN quantum-well structures on their optical and nanostructural properties Cheng Y.-C.; Wu C.-M.; Yang C.C.; Li G.A.; Rosenauer A.; Ma K.-J.; Shi S.-C.; Chen L.C.; Cheng Y.-C.; Wu C.-M.; Yang C.C.; Li G.A.; Rosenauer A.; Ma K.-J.; Shi S.-C.; Chen L.C.; LI-CHYONG CHEN
臺大學術典藏 2018-09-10T04:49:37Z Improvements of InGaN/GaN quantum-well interfaces and radiative efficiency with InN interfacial layers Cheng, Y.-C.;Wu, C.-M.;Chen, M.-K.;Yang, C.C.;Feng, Z.-C.;Li, G.A.;Yang, J.-R.;Rosenauer, A.;Ma, K.-J.; Cheng, Y.-C.; Wu, C.-M.; Chen, M.-K.; Yang, C.C.; Feng, Z.-C.; Li, G.A.; Yang, J.-R.; Rosenauer, A.; Ma, K.-J.; CHIH-CHUNG YANG
國立臺灣科技大學 2016 Phosphorus-Rich Copper Phosphide Nanowires for Field-Effect Transistors and Lithium-Ion Batteries Li, G.-A;Wang, C.-Y;Chang, W.-C;Tuan, H.-Y.

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