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机构	日期	题名	作者
國立成功大學	2006-02	High work function IrxSi gates on HfAlON p-MOSFETs	Wu, C. H.; Yu, D. S.; Chin, Albert; Wang, Shui-Jinn; Li, M. F.; Zhu, C.; Hung, B. E.; McAlister, S. P.
國立臺灣大學	1996-01	The relativistic band structure of ternary II-VI semiconductor alloys containing Cd, Zn, Se and Te	Poon, H.C.; Feng, Z.C.; Feng &, Y.P.; Li, M.F.

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