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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:40:40Z Discrete-Dopant-Fluctuated Transient Behavior and Variability Suppression in 16-nm-Gate Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Li, Yiming; Hwang, Chih-Hong; Cheng, Hui-Wen
國立交通大學 2014-12-08T15:40:28Z Field Emission Stability of Anodic Aluminum Oxide Carbon Nanotube Field Emitter in the Triode Structure Li, Yiming; Cheng, Hui-Wen
國立交通大學 2014-12-08T15:40:27Z Emission Efficiency Dependence on the Width and Thickness of Nanogaps in Surface-Conduction Electron-Emitter Displays Li, Yiming; Lo, Hsiang-Yu
國立交通大學 2014-12-08T15:39:18Z 3D Device Simulation of Work Function and Interface Trap Fluctuations on High-kappa/Metal Gate Devices Cheng, Hui-Wen; Li, Fu-Hai; Han, Ming-Hung; Yiu, Chun-Yen; Yu, Chia-Hui; Lee, Kuo-Fu; Li, Yiming
國立交通大學 2014-12-08T15:38:10Z Quantum hydrodynamic simulation of discrete-dopant fluctuated physical quantities in nanoscale FinFET Li, Yiming; Cheng, Hui-Wen; Han, Ming-Hung
國立交通大學 2014-12-08T15:38:09Z Investigation of Raman enhancement in hydrothermally roughened SERS-active substrates Cheng, Hui-Wen; Li, Yiming; Yang, Jung-Yen
國立交通大學 2014-12-08T15:37:49Z Hybrid Differential Evolution and Particle Swarm Optimization Approach to Surface-Potential-Based Model Parameter Extraction for Nanoscale MOSFETs Li, Yiming; Tseng, Yu-Hsiang
國立交通大學 2014-12-08T15:37:09Z A compact model for electrostatic discharge protection nanoelectronics simulation Chou, Hung-Mu; Yu, Shao-Ming; Lee, Jam-Wem; Li, Yiming
國立交通大學 2014-12-08T15:36:36Z A simulation-based evolutionary technique for inverse doping profile problem of sub-65 nm CMOS devices Li, Yiming; Chen, Cheng-Kai
國立交通大學 2014-12-08T15:36:36Z Numerical simulation and comparison of electrical characteristics between uniaxial strained bulk and SOI FinFETs Li, Yiming

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