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| 國立交通大學 |
2015-12-02T02:59:06Z |
A novel AlGaN/GaN multiple aperture vertical high electron mobility transistor with silicon oxide current blocking layer
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Shrestha, Niraj Man; Wang, Yuen Yee; Li, Yiming; Chang, Edward Yi |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:05:56Z |
以幾何規劃方式求解矽鍺異質接面雙極性電晶體摻雜輪廓最佳化之研究
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陳英傑; Chen, Ying-Chieh; 李義明; Li, Yiming |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:05:53Z |
隨機金屬閘極功函數導致之16奈米金氧半場效應電晶體元件及電路特性擾動之研究
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韓銘鴻; Han, Ming-Hung; 李義明; Li, Yiming |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T01:05:52Z |
16奈米場效應電晶體特性擾動抑制暨TFT-LCD驅動電路設計優化之研究
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李國輔; Lee, Kuo-Fu; 李義明; Li, Yiming |
| 國立交通大學 |
2015-11-26T00:55:22Z |
本質參數擾動對於低操作電壓塊材鰭式場效應電晶體元件特性與電路功率消耗變異之研究
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許勝嘉; Hsu, Sheng-Chia; 李義明; Li, Yiming |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T11:20:49Z |
Electrical characteristic fluctuation of 16-nm-gate high-kappa/metal gate bulk FinFET devices in the presence of random interface traps
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Hsu, Sheng-Chia; Li, Yiming |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:31:31Z |
On Characteristic Variability of 16-nm-Gate Bulk FinFET Devices Induced by Intrinsic Parameter Fluctuation and Process Variation Effect
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Chen, Chieh-Yang; Li, Yiming; Chen, Yu-Yu; Chang, Han-Tung; Hsu, Sheng-Chia; Huang, Wen-Tsung; Yang, Chin-Min; Chen, Li-Wen |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:31:29Z |
Statistical Device Simulation of Intrinsic Parameter Fluctuation in 16-nm-Gate N- and P-type Bulk FinFETs
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Chen, Yu-Yu; Huang, Wen-Tsung; Hsu, Sheng-Chia; Chang, Han-Tung; Chen, Chieh-Yang; Yang, Chin-Min; Chen, Li-Wen; Li, Yiming |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:31:18Z |
Numerical Simulation of Field Enhancement Property of Surface Enhanced Raman Spectroscopy Active Substrates
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Cheng, Hui-Wen; Li, Yiming |
| 國立交通大學 |
2015-07-21T08:31:14Z |
Device Simulation of P-InAlN-Gate AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor
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Shrestha, Niraj Man; Lin, Yueh-Chin; Chang, Han-Tung; Li, Yiming; Chang, Edward Yi |
显示项目 86-95 / 310 (共31页)
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