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| 國立臺灣大學 |
2004-02-05 |
1.3 μm GaAs/GaAsSb quantum well laser grown by solid source molecular beam epitaxy
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Liu, P.W.; Liao, G.H.; Lin, H.H. |
| 國立臺灣大學 |
2004-02 |
1.3 /spl mu/m GaAs/GaAsSb quantum well laser grown by solid source molecular beam epitaxy
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Liu, P.W.; Liao, G.H.; Lin, H.H. |
| 國立臺灣大學 |
2004-02 |
Low threshold current density 1.3 /spl mu/m InAs/InGaAs quantum dot lasers with InGaP cladding layers grown by gas-source molecular-beam epitaxy
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Chang, F.Y.; Lee, J.D.; Lin, H.H. |
| 國立臺灣科技大學 |
2004 |
Toward an understanding of the behavioral intention to use mobile banking
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Luarn P;Lin H. H |
| 國立臺灣大學 |
2004 |
Relaxation oscillations and damping factors of 1.3 μm In(Ga)As/GaAs quantum-dot lasers
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Mao, M.-H.; Wu, T.-Y.; Wu, D.-C.; Chang, F.-Y.; Lin, H.-H. |
| 國立臺灣大學 |
2004 |
Large effective mass enhancement of the InAs1?xNx alloys in the dilute limit probed by Shubnikov-de Haas oscillations
|
Hang, D. R.; Shih, D. K.; Huang, C. F.; Hung, W. K.; Chang, Y. H.; Chen, Y. F.; Lin, H. H. |
| 國立臺灣大學 |
2004 |
1.3 μm GaAs/GaAsSb quantum well laser grown by solid source molecular beam epitaxy
|
Liu, P.-W.; Liao, G.-H.; Lin, H.-H. |
| 國立臺灣大學 |
2004 |
Observation of coherent interfacial optical phonons in GaInP/GaAs/GaInP single quantum wells
|
Chang, Y.-M.; Lin, H. H.; Chia, C. T.; Chen, Y. F. |
| 國立臺灣大學 |
2004 |
Nature of persistent photoconductivity in GaAs0.7Sb0.3/GaAs multiple quantum wells
|
Chen, T. T.; Su, W. S.; Chen, Y. F.; Liu, P. W.; Lin, H. H. |
| 國立臺灣大學 |
2004 |
Probing the electronic structures of III-V-nitride semiconductors by x-ray photoelectron spectroscopy
|
Lay, T. S.; Kuo, W. T.; Chen, L. P.; Lai, Y. H.; Hung, W. H.; Wang, J. S.; Chi, J. Y.; Shih, D. K.; Lin, H. H. |
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