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机构 日期 题名 作者
國立臺灣大學 1993 Injection Current Model of a MOS Diode Under Charge Sharing Mode Readou Operation Wu, C. W.; 林浩雄; Wu, C. W.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 Measurements of Two-Photon Absorption Coefficient and Induced Nonlinear Refractive-Index in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Waveguide Yang, C. C.; Villeneuve, A.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; 林浩雄; Yang, C. C.; Villeneuve, A.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 Nonlinear Polarization Switching Near Half the Band Gap in Semiconductors Yang, C. C.; Villeneuve, A.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; 林浩雄; Chiou, I. P; Yang, C. C.; Villeneuve, A.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; Lin, Hao-Hsiung; Chiou, I. P
國立臺灣大學 1993 Nonlinear Refractive-Index Near Half the Band Gap in AlGaAs Villeneuve, A.; Yang, C. C.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; 林浩雄; Villeneuve, A.; Yang, C. C.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 Two-Phase Liquid Phase Epitaxy of Growing In0.53Ga0.47As on InP Chen, M. K.; 林浩雄; Chen, M. K.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 AlGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor on GaAs(111) Substrate by Molecular Beam Epitaxy Lee, T. L.; Chu, W. D.; 林浩雄; Lee, T. L.; Chu, W. D.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 Anisotropic Two-Photon Absorption Coefficient and Induced Nonlinear Refractive-Index in GaAs/AlGaAs Multiple Quantum Well Waveguide Yang, C. C.; Villeneuve, A.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; 林浩雄; Yang, C. C.; Villeneuve, A.; Stegeman, G. I.; Lin, C. H.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 Dark Current Analysis of InSB MIS Capacitors Wu, C. W.; 林浩雄; Wu, C. W.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 DC Characteristics of In0.52Al0.48As/in0.53Ga0.47As/in0.53(AlxGa1-X) 0.47As Double Heterojunction Bipolar Transitors Huang, Chang-Hsiu; Lee, T. L.; 林浩雄; Huang, Chang-Hsiu; Lee, T. L.; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1993 Deep Level Analysis of MBE Grown InAlAs Strained Layers Liu, J. S.; Lee, T. L.; 林浩雄; Wu, C. W.; Liu, J. S.; Lee, T. L.; Lin, Hao-Hsiung; Wu, C. W.

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