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機構 日期 題名 作者
國立臺灣大學 1996-04 An unified GSMBE growth model for GaInAsP on InP and GaAs Liu, Jin-Shung; Lee, Tsuen-Lin; Lin, Hao-Hsiung
臺大學術典藏 1996-04 An unified GSMBE growth model for GaInAsP on InP and GaAs Liu, Jin-Shung; Lee, Tsuen-Lin; Lin, Hao-Hsiung; Liu, Jin-Shung; Lee, Tsuen-Lin; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1996 Growth and characterization of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistor on GaAs (111)B substrate by molecular beam epitaxy Lee, Tsuen-Lin; Chu, Wen-Ding; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1996 Low frequency noise characteristics of AlInAs/InGaAs heterojunction bipolar transistors Jang, Sheng-Lyang; Chen, Way-Ming; Lin, Hao-Hsiung; Huang, Chao-Hsing
國立臺灣大學 1996 On the recombination currents effect of heterostructure-emitter bipolar transistors (HEBTs) Tsai, Jung-Hui; Laih, Lih-Wen; Shih, Hui-Jung; Liu, Wen-Chau; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1996 半導體光電現象及應用整合計畫:子計畫三磷砷化銦鎵光電材料及元件之研究 林浩雄; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1995-11 Balun design for uniplanar broad band double balanced mixer Chiou, Hwann-Kaeo; Chang, Chi-Yang; Lin, Hao-Hsiung
臺大學術典藏 1995-11 Balun design for uniplanar broad band double balanced mixer Chiou, Hwann-Kaeo; Chang, Chi-Yang; Lin, Hao-Hsiung; Chiou, Hwann-Kaeo; Chang, Chi-Yang; Lin, Hao-Hsiung
國立臺灣大學 1995-05 The incorporation behavior of As and P in GaInAsP(λ=1.3μm) on InP grown by gas source molecular beam epitaxy Lee, Tsuen-Lin; Liu, Jin-Shung; Lin, Hao-Hsiung
臺大學術典藏 1995-05 The incorporation behavior of As and P in GaInAsP(λ=1.3μm) on InP grown by gas source molecular beam epitaxy Lee, Tsuen-Lin; Liu, Jin-Shung; Lin, Hao-Hsiung; Lee, Tsuen-Lin; Liu, Jin-Shung; Lin, Hao-Hsiung

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