臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

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機構	日期	題名	作者
國立成功大學	2000-06	Interfacial reactions of Ni/Si0.76Ge0.24 and Ni/Si1-x-yGexCy by vacuum annealing and pulsed KrF laser annealing	Luo, Jian-Shing; Lin, Wen-Tai; Chang, C. Y.; Shih, P. S.
國立成功大學	2000-06	Pulsed KrF laser annealing of Mo/Si0.76Ge0.24	Luo, Jian-Shing; Lin, Wen-Tai; Chang, C. Y.; Shih, P. S.; Chang, T. C.
國立成功大學	2000-01	Annealing effects on the interfacial reactions of Ni on Si0.76Ge0.24 and Si1-x-yGexCy	Luo, Jian-Shing; Lin, Wen-Tai; Chang, C. Y.; Shih, P. S.; Pan, F. M.
國立成功大學	1999-07-16	Characterization of Si1-x-yGexCy films grown by C+ implantation and subsequent pulsed laser annealing	Luo, Jian-Shing; Lin, Wen-Tai; Chang, C. Y.; Shih, P. S.; Pan, F. M.; Chang, T. C.
國立成功大學	1999-06-01	Room temperature oxidation of Cu/Si0.76Ge0.24 annealed at 200 to 300 degrees C	Luo, Jian-Shing; Lin, Wen-Tai; Chang, C. Y.; Shih, P. S.
國立成功大學	1998-07	Interfacial reactions of Ni on Si0.76Ge0.24 and Si by pulsed laser annealing	Luo, Jian-Shing; Lin, Wen-Tai; Chang, C. Y.; Tsai, W. C.

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