|
"lin y c"的相關文件
顯示項目 1301-1310 / 2367 (共237頁)
<< < 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:58:53Z |
Optical characterization of isoelectronic ZnSe1-xOx semiconductors
|
Lin, Y. C.; Chung, H. L.; Ku, J. T.; Chen, C. Y.; Chien, K. F.; Fan, W. C.; Lee, L.; Chyi, J. I.; Chou, W. C.; Chang, W. H.; Chen, W. K. |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:58:51Z |
Picosecond optical vortex converted from multigigahertz self-mode-locked high-order Hermite-Gaussian Nd:GdVO4 lasers
|
Liang, H. C.; Huang, Y. J.; Lin, Y. C.; Lu, T. H.; Chen, Y. F.; Huang, K. F. |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:58:46Z |
Electrical Characterization of Al2O3/n-InAs Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors With Various Surface Treatments
|
Trinh, H. D.; Brammertz, G.; Chang, E. Y.; Kuo, C. I.; Lu, C. Y.; Lin, Y. C.; Nguyen, H. Q.; Wong, Y. Y.; Tran, B. T.; Kakushima, K.; Iwai, H. |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:58:39Z |
Simultaneous self-mode-locking of TEM0,0 and TEM1,0 modes in a Nd:YVO4 laser: Application for measuring the thermal focal length
|
Liang, H. C.; Chiang, P. Y.; Huang, Y. J.; Lin, Y. C.; Chen, Y. F. |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:58:23Z |
Measurement of the Electron Antineutrino Oscillation with 1958 Days of Operation at Daya Bay
|
Adey, D.; An, F. P.; Balantekin, A. B.; Band, H. R.; Bishai, M.; Blyth, S.; Cao, D.; Cao, G. F.; Cao, J.; Chan, Y. L.; Chang, J. F.; Chang, Y.; Chen, H. S.; Chen, S. M.; Chen, Y.; Chen, Y. X.; Cheng, J.; Cheng, Z. K.; Cherwinka, J. J.; Chu, M. C.; Chukanov, A.; Cummings, J. P.; Deng, F. S.; Ding, Y. Y.; Diwan, M., V; Dolgareva, M.; Dwyer, D. A.; Edwards, W. R.; Gonchar, M.; Gong, G. H.; Gong, H.; Gu, W. Q.; Guo, L.; Guo, X. H.; Guo, Y. H.; Guo, Z.; Hackenburg, R. W.; Hans, S.; He, M.; Heeger, K. M.; Heng, Y. K.; Higuera, A.; Hsiung, Y. B.; Hu, B. Z.; Hu, J. R.; Hu, T.; Hu, Z. J.; Huang, H. X.; Huang, X. T.; Huang, Y. B.; Huber, P.; Huo, W.; Hussain, G.; Jaffe, D. E.; Jen, K. L.; Ji, X. L.; Ji, X. P.; Johnson, R. A.; Jones, D.; Kang, L.; Kettell, S. H.; Koerner, L. W.; Kohn, S.; Kramer, M.; Langford, T. J.; Lebanowski, L.; Lee, J.; Lee, J. H. C.; Lei, R. T.; Leitner, R.; Leung, J. K. C.; Li, C.; Li, F.; Li, H. L.; Li, Q. J.; Li, S.; Li, S. C.; Li, S. J.; Li, W. D.; Li, X. N.; Li, X. Q.; Li, Y. F.; Li, Z. B.; Liang, H.; Lin, C. J.; Lin, G. L.; Lin, S.; Lin, S. K.; Lin, Y-C; Ling, J. J.; Link, J. M.; Littenberg, L.; Littlejohn, B. R.; Liu, J. C.; Liu, J. L.; Liu, Y.; Liu, Y. H.; Loh, C. W.; Lu, C.; Lu, H. Q.; Lu, J. S.; Luk, K. B.; Ma, X. B.; Ma, X. Y.; Ma, Y. Q.; Malyshkin, Y.; Marshall, C.; Caicedo, D. A. Martinez; McDonald, K. T.; McKeown, R. D.; Mitchell, I; Mora Lepin, L.; Napolitano, J.; Naumov, D.; Naumova, E.; Ochoa-Ricoux, J. P.; Olshevskiy, A.; Pan, H-R; Park, J.; Patton, S.; Pec, V; Peng, J. C.; Pinsky, L.; Pun, C. S. J.; Qi, F. Z.; Qi, M.; Qian, X.; Qiu, R. M.; Raper, N.; Ren, J.; Rosero, R.; Roskovec, B.; Ruan, X. C.; Steiner, H.; Sun, J. L.; Tang, W.; Taychenachev, D.; Treskov, K.; Tse, W-H; Tull, C. E.; Viren, B.; Vorobel, V.; Wang, C. H.; Wang, J.; Wang, M.; Wang, N. Y.; Wang, R. G.; Wang, W.; Wang, X.; Wang, Y. F.; Wang, Z.; Wang, Z. M.; Wei, H. Y.; Wei, L. H.; Wen, L. J.; Whisnant, K.; White, C. G.; Wise, T.; Wong, H. L. H.; Wong, S. C. F.; Worcester, E.; Wu, Q.; Wu, W. J.; Xia, D. M.; Xing, Z. Z.; Xu, J. L.; Xue, T.; Yang, C. G.; Yang, H.; Yang, L.; Yang, M. S.; Yang, M. T.; Yang, Y. Z.; Ye, M.; Yeh, M.; Young, B. L.; Yu, H. Z.; Yu, Z. Y.; Yue, B. B.; Zeng, S.; Zhan, L.; Zhang, C.; Zhang, C. C.; Zhang, F. Y.; Zhang, H. H.; Zhang, J. W.; Zhang, Q. M.; Zhang, R.; Zhang, X. F.; Zhang, X. T.; Zhang, Y. M.; Zhang, Y. X.; Zhang, Y. Y.; Zhang, Z. J.; Zhang, Z. P.; Zhang, Z. Y.; Zhao, J.; Zheng, P.; Zhou, L.; Zhuang, H. L.; Zou, J. H. |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:57:57Z |
The influences of surface treatment and gas annealing conditions on the inversion behaviors of the atomic-layer-deposition Al2O3/n-In0.53Ga0.47As metal-oxide-semiconductor capacitor
|
Trinh, H. D.; Chang, E. Y.; Wu, P. W.; Wong, Y. Y.; Chang, C. T.; Hsieh, Y. F.; Yu, C. C.; Nguyen, H. Q.; Lin, Y. C.; Lin, K. L.; Hudait, M. K. |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:57:56Z |
Carrier dynamics in isoelectronic ZnSe1-xOx semiconductors
|
Lin, Y. C.; Chung, H. L.; Chou, W. C.; Chen, W. K.; Chang, W. H.; Chen, C. Y.; Chyi, J. I. |
| 國立交通大學 |
2019-04-02T05:57:53Z |
Light-induced and holographic properties of ruthenium and manganese co-doped Bi4Ge3O12 crystals
|
Lin, S. H.; Marinova, V.; Lin, Y. C.; Petrova, D.; Chou, W. C.; Hsu, K. Y. |
| 國立政治大學 |
2019-03 |
Investigating the impulsive choice of young adults in delay discounting, probabilistic discounting, and risk preference task
|
顏乃欣; Yen, N. S.; Yang, T. H.; Lin, Y. C.; Liu, F. Y.; Fang, Y. F.; Wang, C.; Liao, R. M. |
| 國立政治大學 |
2019-03 |
The development of the variance discounting task to investigate the impulsivity with delay discounting task and probabilistic discounting task
|
顏乃欣; Yen, N. S.; Lin, Y. C.; Liu, F. Y.; Fang, Y. F.; Yang, T. H.; Wang, C.; Huang, W. H. |
顯示項目 1301-1310 / 2367 (共237頁)
<< < 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目
|
