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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2014-12-08T15:07:38Z	The impact of high-voltage drift n-well and shallow trench isolation layouts on electrical characteristics of LDMOSFETs	Huang, C. T.; Tsui, Bing-Yue; Liu, Hsu-Ju; Lin, Geeng-Lih

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