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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2014-12-08T15:45:38Z Shallow-trench isolation with raised-field-oxide structure Chen, CM; Chang, CY; Chou, JW; Lur, W; Sun, SW
國立交通大學 2014-12-08T15:45:07Z Effects of a new combination of additives in electroplating solution on the properties of Cu films in ULSI applications Hu, JC; Chang, TC; Wu, CW; Chen, LJ; Hsiung, CS; Hsieh, WY; Lur, W; Yew, TR
國立交通大學 2014-12-08T15:42:14Z Effective repair to ultra-low-k dielectric material (k-2.0) by hexamethyidisilazane treatment Mor, YS; Chang, TC; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Yan, ST; Chu, CJ; Wu, WF; Pan, FM; Lur, W; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:41:53Z Trimethylchlorosilane treatment of ultralow dielectric constant material after photoresist removal processing Chang, TC; Mor, YS; Liu, PT; Tsai, TM; Chen, CW; Chu, CJ; Pan, FM; Lur, W; Sze, SM
國立交通大學 2014-12-08T15:27:41Z Low temperature processed poly-Si thin-film transistors with thinner LPD-SiO2 as gate insulator and its reliability Fan, CL; Yeh, CF; Tsai, HK; Lur, W; Yen, PW
國立交通大學 2014-12-08T15:04:34Z INTERFACIAL REACTIONS OF TITANIUM THIN-FILMS ON ION-IMPLANTED (001) SI LIAUH, HR; CHEN, MC; CHEN, JF; CHEN, LJ; LUR, W; CHU, CH
國立交通大學 2014-12-08T15:03:31Z BOND-STRUCTURE CHANGES OF LIQUID-PHASE DEPOSITED OXIDE (SIO2-XFX) ON N2 ANNEALING YEH, CF; CHEN, CL; LUR, W; YEN, PW

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