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國立中山大學	1991	Ordering effects on the electrical characteristics of Ga(0.5)In(0.5)P grown by metalorganic chemical vapor deposition	M.K. Lee; R.H. Horng; L.C. Haung
國立中山大學	1991	Improvements n the Heteroepitaxy of GaAs on Si by incorporating a ZnSe buffer layer	M.K. Lee; R.H. Horng; D.S. Wuu; P.C. Chen
國立中山大學	1991	Heteroepitaxy of ZnSe on Si by low pressure organical metallic vapor deposition	M.K. Lee; M.Y. Yeh; C.C. Chang
國立中山大學	1991	Photo-enhanced growth of ZnSe by metalorganic chemical vapor deposition	M.K. Lee;M.Y. Yeh
國立中山大學	1991	Using ZnSe as buffer layer to fabricate GaAs NESFET on Si	M.K. Lee;B.Y. Lin;L.C. Haung;R.H. Horng
國立中山大學	1991	ZnSe blue light emitting diodes prepared by metalorganic chemical vapor deposition	M.K. Lee;R.H. Horng;L.C. Haung
國立中山大學	1991	Migration enhancement epitaxy of GaAs by conventional MOCVD system	M.K. Lee;C.C. Hu;M.H. Lin
國立中山大學	1990	Indium Phosphide on Silicon Heteroepitaxy : Lattice Deformation and Strain Relaxation	D.S. Wuu; R.H. Horng; M.K. Lee
國立中山大學	1990	Characteristics of Ga(0.51)In(0.49)P/GaAs Heterostructures Grown on Si Substrates by Organometallic Epitaxy	R.H. Horng; D.S. Wuu; K.C. Huang; M.K. Lee
國立中山大學	1990	Characterization of ZnSe Heteroepilayer On GaAs/Si Substrate	M.K. Lee; M.Y. Yeh; J.H. Chang; K.Y. Yu; Y.F. Lin
國立中山大學	1990	Organometallic Heteroepitaxy of Indium Phosphide Directly on Silicon for Solar Cell Applications	M.K. Lee;D.S. Wuu;R.H. Horng
國立中山大學	1990	Investigation of Laser-Assisted Metalorganic Chemical Vapor Deposition of ZnSe on (100)Si	M.K. Lee;M.Y. Yeh;C.C. Chang
國立中山大學	1990	Improvements in the heteroepitaxy of GaAs on Si by Incorporating a ZnSe buffer layer	M.K. Lee;R.H. Horng;D.S. Wuu;P.C. Chen
國立中山大學	1989	Heteroepitaxial Growth of ZnSe on (100)Si by Low-pressure Organometallic Chemical Vapor Deposition	M.K. Lee; M.Y. Yeh; C.C. Chang
國立中山大學	1989	Improvements in the Organometallic Heteroepitaxy of Indium Phosphide Directly on Silicon	D.S. Wuu; R.H. Horng; K.C. Huang; M.K. Lee
國立中山大學	1989	Material Properties of InP-on-Si Grown by Low-Pressure Organometallic Vapor Phase Epitaxy	D.S. Wuu; H.H. Tung; R.H. Horng; M.K. Lee
國立中山大學	1989	Strain Variations in Heteroepitaxial InP-on-Si Grown by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition	D.S. Wuu; R.H. Horng; M.K. Lee
國立中山大學	1989	ZnSe/Si Hybrid Material System Prepared by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition	M.K. Lee;M.Y. Yeh;C.C. Chang
國立中山大學	1989	Compound Semiconductors on Silicon Technology	M.K. Lee
國立中山大學	1988	Heteroepitaxial Growth of Ga(0.51)In(0.49)P/GaAs Epilayers on Si Substrates bv Low-Pressure Organometallic Chemical Vapor Deposition	R.H. Horng; D.S. We; M.K. Lee
國立中山大學	1988	Growth and Characterization of InP/GaAs Epilayers on Si Substrates by Low-pressure Metalorganic Chemical Vapor Phase Epitaxy	M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Jung; K.Y. Yu; K.C. Huang
國立中山大學	1988	Heteroepitaxial Growth of ZnSe on (111)Si by Low-pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition	M.K. Lee; J.H. Chang; M.Y. Yeh; Y.F. Lin
國立中山大學	1988	Growth and Characterization of InP Epilayers on ZnSe-coated Si Substrates by Low-Pressure Metalorganic Chemical Vapor Deposition	M.K. Lee; D.S. Wuu; H.H. Tung; J.H. Chang; Y.F. Lin
國立中山大學	1988	Isoelectronic Doping in GaAs Epilayers Grown by Molecular Beam Epitaxy	M.K. Lee; T.H. Chiu; A. Dayem; E. Agyekum
國立中山大學	1988	Heteroepitaxial Growth of Indium Phosphide on Silicon by MOCVD Using Adduct Source	M.K. Lee; D.S. We; H.H. Tung

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