English  |  正體中文  |  简体中文  |  總筆數 :0  
造訪人次 :  50699045    線上人數 :  345
教育部委託研究計畫      計畫執行:國立臺灣大學圖書館
 
臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)
關於TAIR

瀏覽

消息

著作權

相關連結

"m k tsai"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序 依日期排序

顯示項目 1-14 / 14 (共1頁)
1 
每頁顯示[10|25|50]項目

機構 日期 題名 作者
臺大學術典藏 2018-09-10T07:42:50Z Ka-band channel simulation for communication experiments on ROCSAT-1 Y.-C. Chen; J.-F. Kiang; M.-K. Tsai; L.-G. Shi; P.-K. Liaw; JEAN-FU KIANG
臺大學術典藏 2018-09-10T04:36:14Z Improvements in direct-current characteristics of Al0.45Ga0.55As/GaAs digital graded superlattice-emitter heterojunction bipolar transistors with reduced turn-on voltage by wet-oxidation M.-K. Tsai; Y.-W. Wu; S.-W. Tan; W.-S. Lour; Y. J. Yang; YING-JAY YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T04:36:14Z Observation of current gain collapse in large-area HBT with rectangular emitter and etched base M. -K. Tsai; S.-W. Tan; W. S. Lour; Y. J. Yang; YING-JAY YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T04:15:52Z Depletion-mode and enhancement-mode InGaP/GaAs δ-HEMTs for low supply-voltage applications M.-K. Tsai; S.-W. Tan; Y.-W. Wu; W.-S. Lour; Y. J. Yang; YING-JAY YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T04:15:52Z Investigation of self-aligned p++-GaAs/n-InGaP hetero-junction field-effect transistors W.-S. Lour; M.-K. Tsai; K.-C. Chen; S.-W. Tan; Y.-W. Wu; Y. J. Yang; YING-JAY YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T03:51:07Z InGaP/InGaAs dual gate pseudomorphic high electron mobility transistors W.-S. Lour; M.-K. Tsai; K.-C. Chen; Y.-W. Wu; S.-W. Tan; Y. J. Yang; YING-JAY YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T03:51:07Z Sub-micron gate by optical lithography using photoresist re-flow and spin-on-glass W.-S. Lour; M.-K. Tsai; K.-C. Chen; Y.-W. Wu; S.-W. Tan; Y. J. Yang; YING-JAY YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T03:51:06Z Studies and comparisons of a N+-InGaP/delta(P+)-InGaP/n-GaAs hetero-planar-doped structure to high-linearity microwave field-effect transistors W.-S. Lour; M.-K. Tsai; K.-Y. Lai; B.-L. Chen; Y.-J. Yang; YING-JAY YANG
臺大學術典藏 2018-09-10T03:51:06Z Dual-gate In0.5Ga0.5P/In0.2Ga0.8As pseudomorphic high electron mobility transistors with high linearity and variable gate-voltage swing W.-S. Lour; M.-K. Tsai; K.-C. Chen; Y.-W. Wu; S.-W. Tan; Y.-J. Yang; YING-JAY YANG
亞洲大學 2003 Protocol based foresight anomaly intrusion detection system M. K. Tsai;S. C. Lin;S. S. Tseng
國立臺灣海洋大學 2002-03 Investigation of self-aligned p++-GaAs/n-InGaP hetero-junction field-effect transistors W.-S.Lour; M.-K.Tsai; K.-C.Chen; S.-W.Tan; Y.-W.Wu; Y.-J.Yang
國立臺灣海洋大學 2002-01-10 Depletion- and enhancement-mode InGaP/GaAs δ-HEMT’s for Low supply-voltage applications M-K Tsai; S-W Tan; Y-W Wu; W-S Lour; Y-J Yang
國立臺灣海洋大學 2001-08-30 Dual-Gate In0.5Ga0.5PIn0.2Ga0.8As pseudomorphic high electron mobility transistors with high linearity and variable gate-voltage swing W-S Lour; M-K Tsai; K-C Chen; Y-W Wu; S-W Tan; Y-J Yang
亞洲大學 2001 A genetic algorithm for finding minimal wavelength on WDM ring D. R. Din ;M. K. Tsai;S. S. Tseng

顯示項目 1-14 / 14 (共1頁)
1 
每頁顯示[10|25|50]項目