臺灣學術機構典藏系統 (Taiwan Academic Institutional Repository, TAIR)

關於TAIR
	計畫說明

瀏覽
	典藏機構
	作者
	題名
	日期
	統計圖表
	機構即時統計
	學術趨勢

消息
	2019臺灣學術機構典藏研討會
	機構典藏系統RC7版本已發佈

著作權
	出版社及期刊政策查詢
	TAIR著作權會議記錄

相關連結
	機構典藏計畫網站
	ROAR
	OpenDOAR
	SHERPA
	OAIster
	JAIRO
	Ira
	DSPACE
	RWWR
	臺大學術典藏NTU Scholars

"m l lee"的相關文件

回到依作者瀏覽
依題名排序	依日期排序

顯示項目 1-50 / 56 (共2頁)
1 2 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

機構	日期	題名	作者
國立高雄師範大學	2010-07-13	The Robustness RFID Middleware System for EPCglobal Network	Po-Hsun Cheng;C. H. Kuo;L. C. Hwang;M. L. Lee;J. R. Hu; 鄭伯壎
臺北市立大學	2010	A diagnosis of the extreme rainfall associated with the typhoon Morakot in southern Taiwan: Roles of submonthly disturbance and 40-50-day ISO.	洪志誠; Chi-Cherng Hong; H.-H. Hsu; M.-L. Lee
南台科技大學	2009	Photodetectors formed by an indium tin oxide/zinc oxide/p-type gallium nitride heterojunction with high ultraviolet-to-visible rejection ratio	李明倫; M. L. Lee; Ping-Feng Chi; J.K.Sheu
南台科技大學	2009	GaN-based LEDs output power improved by textured GaN/sapphire interface using in-situ SiH4 treatment process during epitaxial growth	李明倫; C. M. Tsai; J. K. Sheu; W.C. Lai; M. L. Lee; J. Chang; S. Chang; T. K. Ko; C. F. Shen
南台科技大學	2008	Ultraviolet band-pass photodetectors formed by Ga-doped ZnO contacts to GaN	李明倫; J. K. Sheu; K. H. Chang; M. L. Lee
南台科技大學	2008	Ultraviolet bandpass Al0.17Ga0.83N/GaN heterojunction phototransitors with high optical gain and high rejection ratio	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Yung-Ru Shu
南台科技大學	2008	Ga-Doped ZnO Transparent Conductive Oxide Films Applied to GaN-Based Light-Emitting Diodes for Improving Light Extraction Efficiency	李明倫; J.-K. Sheu; M.-L. Lee; Y. S. Lu; K. W. Shu
南台科技大學	2008	Enhancement in output power of blue gallium nitride-based light-emitting diodes with omnidirectional metal reflector under electrode pads	李明倫; J. K. Sheu; I. Hsiu Hung; W. C. Lai; S. C. Shei; M. L. Lee
南台科技大學	2007	Nonalloyed Cr/Au-based Ohmic contacts to n-GaN	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; C. C Hu
南台科技大學	2007	Effect of Thermal Annealing on Ga-doped ZnO Films Prepared by Magnetron Sputtering	李明倫; J. K. Sheu; K. W. Shu; M. L. Lee; C. J. Tun; G. C. Chi
南台科技大學	2007	Enhanced efficiency of GaN-based light-emitting diodes with periodic textured Ga-doped ZnO transparent contact layer	李明倫; J. K. Sheu; Y. S. Lu; M. L. Lee; Wei-Chih Lai; C. H. Kuo; Chun-Ju Tun
南台科技大學	2007	GaN-based Ultraviolet p-i-n Photodiodes with Buried p-layer Structure Grown by MOVPE	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu
南台科技大學	2006-08	AlGaN/GaN Schottky-barrier UV-B bandpass photodetectors with ITO contacts and LT-GaN cap layers	T. K. Ko; S. J. Chang; J. K. Sheu; S. C. Shei; Y. Z. Chiou; M. L. Lee
南台科技大學	2006	Improved performance of planar GaN-based p-i-n photodetectors with Mg-implanted isolation ring	李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; G. C. Chi
南台科技大學	2006	Planar Ultraviolet Photodetectors Formed by Si Implantation into p-GaN	李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Kao; C. J. Tun; G. C. Chi
南台科技大學	2006	Planar GaN p-i-n photodiodes with n+-conductive channel formed by Si implantation	李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Kao; G. C. Chi
南台科技大學	2006	InGaN light-emitting diodes with naturally formed truncated micropyramids on top surface	李明倫; J. K. Sheu; C. M. Tsai; M. L. Lee; S. C .Shei; W. C. Lai
南台科技大學	2006	Effects of Thermal Annealing on Al-Doped ZnO Films Deposited on p-Type Gallium Nitride	李明倫; C. J. Tun; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. C. Hu; C. K. Hsieh; G. C. Chi
南台科技大學	2006	Ultraviolet band-pass Schottky barrier photodetectors formed by Al-doped ZnO contacts to n-GaN	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; S.W. Lin
南台科技大學	2006	Schottky barrier heights of metal contacts to n-type gallium nitride with low-temperature-grown cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; S. W. Lin
南台科技大學	2006	Improved Performance of Planar GaN-based p-i-n Photodetectors with Mg-implanted Isolation Ring	李明倫; M. C. Chen; J. K. Sheu; M. L. Lee; C. J. Tun; G. C. Chi
南台科技大學	2006	Effects of thermal annealing on transparent gallium-doped zinc oxide films prepared by sputtering system	李明倫; K. H. Chang; K. W. Hsu; H. H. Chen; M. L. Lee; J. K. Sheu
南台科技大學	2006	Ultraviolet band-pass GaN/AZO Schottky barrier photodetectors	李明倫; M. L. Lee; P. F. Chi; S. J. Tu; H. H. Chen; J. K. Sheu
南台科技大學	2006	Inverted GaN P-I-N Photodiodes with a buried tunneling junction	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W.C.Lai; S.C.Shei; S.J.Chang
國立高雄師範大學	2006	Protection from oxidative damage using Bidens pilosa extracts in normal human erythrocytes	陳師慶; H. L. Yang;Ssu-Ching Chen; N. W. Chang; J. M. Chang; M. L. Lee
南台科技大學	2005	Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metal-organic vapor-phase	李明倫; J. K. Sheu; S. S. Chen; M. L. Lee; W. C. Lai; W. H. Chang; G. C. Chi
南台科技大學	2005	Comparison of low-temperature GaN, SiO2, and SiNx as gate insulators on AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors	李明倫; C. J. Kao; M. C. Chen; C.J. Tun; G. C. Chi; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; F.Ren; S.J.Pearton
南台科技大學	2005	Rectifying characteristics of WSi0.8--GaN Schottky barrier diodes with a GaN cap layer grown at low temperature	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; H. C. Tseng; W. C. Lai; G. C. Chi
南台科技大學	2005	Aluminum gallium nitride ultraviolet p-i-n photodiodes with buried p-layer structure,Aluminum gallium nitride ultraviolet photodiodes with buried p-layer structure	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai
南台科技大學	2005	AlGaN-GaN Schottky-barrier photodetectors with LT GaN cap layers	李明倫; T. K. Ko; S. J. Chang; Y. K. Su; M. L. Lee; C. S. Chang; Y. C. Lin; S. C. Shei; J. K. Sheu; W. S. Chen; C. F. Shen
南台科技大學	2005	Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai
南台科技大學	2005	Effects of thermal annealing on Si-implanted GaN films grown at low temperature by metal-organic vapor-phase	李明倫; J. K. Sheu; S. S. Chen; M. L. Lee; W. C. Lai; W. H. Chang; G. C. Chi
南台科技大學	2005	GaN-based Ultraviolet p-i-n Photodiodes with Buried tunneling junction	李明倫; M. L. Lee; H. H. Chen; J. K. Sheu; W. C. Lai
南台科技大學	2005	Enhanced Light Output of GaN-based LEDs With Ga-doped ZnO Transparent Contact Layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y.S Lu
南台科技大學	2004-10	Planar GaN-based UV Photodetectors formed by Si Implantation	李明倫; M. C. Chen; J.K. Sheu; M. L. Lee; G.C. Chi; C.J. Gao; C.J. Tun
南台科技大學	2004	Reduction of dark current in AlGaN/GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi
南台科技大學	2004	Effect of GaN cap layer grown at a low temperature on electrical characteristics of Al0.25Ga0.75N/GaN heterojunction field-effect transistors	李明倫; C. J. Kao; J. K. Sheu; W. C. Lai; M. L. Lee; M. C. Chen; G. C. Chi
南台科技大學	2004	Effect of low-temperature-grown GaN cap layer on reduced leakage current of GaN Schottky diodes	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; W. C. Lai
南台科技大學	2004	Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer	李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai
南台科技大學	2004	Characterization of GaN Schottky barrier photodiodes with a low-temperature growth GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; Y. K. Su; S. J. Chang; W. C. Lai; G. C. Chi
南台科技大學	2004	Monolithic InGaN/GaN light-emitting diodes with near white-light emission from crossed blue/green quantum well structure	李明倫; T. C. WEN; J. K. Sheu; W. C. Lai; J. M. Tsai; Y. P. Shu; C. H. Ko; L. W. Wu; M. L. Lee; P. T. Wang; C. S. Chang; S. J. Chang; Y. K. Su
南台科技大學	2003	Characterizations of GaN Schottky barrier photodetectors with a highly-resistivity low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi
南台科技大學	2003	Deep level defect in Si-implanted GaN n+-p junction	李明倫; J. K. Sheu;M. L. Lee; G. C. Chi;S. J. Chang
南台科技大學	2003	GaN Metal–Semiconductor–Metal Photodetectors With Low-Temperature-GaN Cap Layers and ITO Metal Contacts	李明倫; S. J. Chang; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; Y. K. Su; C. S. Chang; C. J. Kao; G. C. Chi; J. M. Tsai
南台科技大學	2003	GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; W. C. Lai; S. J. Chang; Y. K. Su; M. G. Chen; C. J. Kao; J. M. Tsai; G. C. Chi
南台科技大學	2003	Visible–blind GaN p–i–n photodiodes with an Al0.12Ga0.88N/GaN superlattice structure	李明倫; L. S. Yeh; M. L. Lee; J. K. Sheu; M. G. Chen; C. J. Kao; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su
南台科技大學	2003	Low-dark current, high-sensitivity metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors based on GaN with low-temperature GaN intermediate layer	李明倫; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. L. Lee; W. C. Lai; L. S. Yeh; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; J. M. Tsai
南台科技大學	2003	Reduction of Dark Current in AlGaN/GaN Schottky Barrier Photodetectors With a Low-Temperature-Grown GaN Cap Layer	李明倫; G. C. Chi; J.K. Sheu; M. L. Lee; C.J. Kao; Y.K. Su; S.J. Chang; W.C. Lai
南台科技大學	2003	GaN Schottky barrier photodetectors with a low-temperature GaN cap layer	李明倫; M. L. Lee; J. K. Sheu; C. J. Kao; M. C. Chen; C. J. Tun; W. C. Lai; Y. K. Su; S.J. Chang; G. C. Chi
南台科技大學	2002	Planar GaN n+-p photodetectors formed by Si implants into p-GaN	李明倫; J. K. Sheu; M. L. Lee; L. S. Yeh; C. J. Kao; C. J. Tun; M. J. Chen; G. C. Chi; S. J. Chang; Y. K. Su; C. T. Lee

顯示項目 1-50 / 56 (共2頁)
1 2 > >>
每頁顯示[10|25|50]項目

	English \| 正體中文 \| 简体中文 \| 總筆數 :0
	造訪人次 : 50715906 線上人數 : 470 教育部委託研究計畫計畫執行:國立臺灣大學圖書館