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机构	日期	题名	作者
國立交通大學	2019-04-03T06:43:38Z	Electronic contribution to the enhancement of the ferromagnetic ordering temperature by Si substitution in Gd-5(SixGe1-x)(4)	Tseng, Y. C.; Paudyal, D.; Mudryk, Ya; Pecharsky, V. K.; Gschneidner, K. A., Jr.; Haskel, D.

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