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机构 日期 题名 作者
國立交通大學 2019-04-02T05:59:40Z SRAM Write-Ability Improvement With Transient Negative Bit-Line Voltage Mukhopadhyay, Saibal; Rao, Rahul M.; Kim, Jae-Joon; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2017-04-21T06:49:37Z Ring oscillator circuit structures for measurement of isolated NBTI/PBTI effects Kim, Jae-Joon; Rao, Rahul; Mukhopadhyay, Saibal; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2017-04-21T06:48:49Z Pre-Si Estimation and Compensation of SRAM Layout Deficiencies to Achieve Target Performance and Yield Bansal, Aditya; Singh, Rama N.; Mukhopadhyay, Saibal; Han, Geng; Heng, Fook-Luen; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2014-12-08T15:42:37Z An on-chip test structure and digital measurement method for statistical characterization of local random variability in a process Mukhopadhyay, Saibal; Kim, Keunwoo; Jenkins, Keith A.; Chuang, Ching-Te; Roy, Kaushik
國立交通大學 2014-12-08T15:38:09Z SRAM Write-Ability Improvement With Transient Negative Bit-Line Voltage Mukhopadhyay, Saibal; Rao, Rahul M.; Kim, Jae-Joon; Chuang, Ching-Te
國立交通大學 2014-12-08T15:09:50Z Design of Sub-90 nm Low-Power and Variation Tolerant PD/SOI SRAM Cell Based on Dynamic Stability Metrics Joshi, Rajiv V.; Mukhopadhyay, Saibal; Plass, Donald W.; Chan, Yuen H.; Chuang, Ching-Te; Tan, Yue

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