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机构 日期 题名 作者
國立成功大學 2023-01-13 Device simulations with A U-Net model predicting physical quantities in two-dimensional landscapes Lee;Wen-Jay;Hsieh;Wu-Tsung;Fang;Bin-Horn;Kao;Kuo-Hsing;Chen;Nan-Yow
國立成功大學 2021-01 Inherent Dipole Layer Formation Driven by Surface Energy at Nonplanar Dielectric Interface Fang;Yu;Lee;Wen-Jay;Yang;An-Chen;Chen;Guan-Peng;Chen;Nan-Yow;Kao;Kuo-Hsing
國立成功大學 2020-06 A synchrotron X-ray imaging strategy to map large animal brains Chin;An-Lun;Yang;Shun-Min;Chen;Hsiang-Hsin;Li;Min-Tsang;Lee;Tsung-Tse;Chen;Ying-Jie;Lee;Ting-Kuo;Petibois;Cyril;Cai;Xiaoqing;Low;Chian-Ming;Tan;Kuan, Francis Chee;Teo;Alvin;Tok;Soon, Eng;Ong;Edwin, B. L.;Lin;Yen-Yin;Lin;I-Jin;Tseng;Yi-Chi;Chen;Nan-Yow;Shih;Chi-Tin;Lim;Jae-Hong;Lim;Jun;Je;Jung-Ho;Kohmura;Yoshiki;Ishikawa;Tetsuya;Margaritondo;Giorgio;Chiang;Ann-Shyn;Hwu;Yeukuang
國立成功大學 2020- Subthreshold Swing Saturation of Nanoscale MOSFETs Due to Source-to-Drain Tunneling at Cryogenic Temperatures Kao;Kuo-Hsing;Wu;Rang, Tzung;Chen;Hong-Lin;Lee;Wen-Jay;Chen;Nan-Yow;Ma;William, Cheng-Yu;Su;Chun-Jung;Lee;Yao-Jen
國立成功大學 2018-03 An FET With a Source Tunneling Barrier Showing Suppressed Short-Channel Effects for Low-Power Applications Hsieh;Yu-Feng;Chen;Si-Hua;Chen;Nan-Yow;Lee;Wen-Jay;Tsai;Jyun-Hwei;Chen;Chun-Nan;Chiang;Meng-Hsueh;Lu;Darsen, Darsen D.;Kao;Kuo-Hsing

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