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國立交通大學	2015-07-21T08:29:05Z	New Method to Analyze the Shift of Floating Gate Charge and Generated Tunnel Oxide Trapped Charge Profile in NAND Flash Memory by Program/Erase Endurance	Shirota, Riichiro; Yang, Bo-Jun; Chiu, Yung-Yueh; Chen, Hsuan-Tse; Ng, Seng-Fei; Wang, Pin-Yao; Chang, Jung-Ho; Kurachi, Ikuo

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