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臺大學術典藏 2018-09-10T08:12:51Z Lattice strain and in situ chemical depth profiling of nanometer-thick molecular beam epitaxy grown Y2O3 epitaxial films on Si (111) Lee, YJ;Lee, WC;Huang, ML;Wu, SY;Nieh, CW;Hong, M;Kwo, J;Hsu, CH; Lee, YJ; Lee, WC; Huang, ML; Wu, SY; Nieh, CW; Hong, M; Kwo, J; Hsu, CH; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2018-09-10T08:12:51Z Lattice strain and in situ chemical depth profiling of nanometer-thick molecular beam epitaxy grown Y2O3 epitaxial films on Si (111) Lee, YJ;Lee, WC;Huang, ML;Wu, SY;Nieh, CW;Hong, M;Kwo, J;Hsu, CH; Lee, YJ; Lee, WC; Huang, ML; Wu, SY; Nieh, CW; Hong, M; Kwo, J; Hsu, CH; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2018-09-10T07:01:21Z Nanometer thick single crystal Y2O3 films epitaxially grown on Si (111) with structures approaching perfection Nieh, CW; Lee, YJ; Lee, WC; Yang, ZK; Kortan, AR; Hong, M; Kwo, J; Hsu, CH; MINGHWEI HONG
臺大學術典藏 2018-09-10T07:01:20Z High-quality nanothick single-crystal Y (2) O (3) films epitaxially grown on Si (111): Growth and structural characteristics Lee, YJ; Lee, WC; Nieh, CW; Yang, ZK; Kortan, AR; Hong, M; Kwo, J; Hsu, C-H; MINGHWEI HONG

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